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「表面 n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1837件
An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加
(c)n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する。 - 特許庁
The n-side electrode 14 is connected to the n-type surface 20an.例文帳に追加
n側電極14は、n型表面20anに接続されている。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
An N- silicon wafer is laminated on the surface of an N+ silicon wafer.例文帳に追加
N^+シリコンウェーハの表面に、N^−シリコンウェーハを張り合わせる。 - 特許庁
A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加
N^+ドレイン層21上に第2のNベース層3及び第1のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁
In the cold rolled steel sheet having excellent phosphate treatability, S is present on the surface of the steel sheet as a sulfide, and the ratio, N_S/N_Fe, of the atomic number of the S, N_S and the atomic number of Fe, N_Fe in the surface of the steel sheet, is 0.06 to 0.3.例文帳に追加
鋼板表面にSが硫化物として存在しており、鋼板表面の当該Sの原子個数N_SとFeの原子個数N_Feとの比N_S/N_Feが0.06以上0.3以下であることを特徴とするリン酸塩処理性に優れた冷延鋼板。 - 特許庁
The exposed surface of an n^+ Si film 205 is reformed by the surface reforming treatment, and a surface-reformed treatment surface 205a is formed.例文帳に追加
表面改質処理により、n^+Si膜205の露出表面が表面改質され、表面改質処理面205aが形成される。 - 特許庁
An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加
n型シリコン基板21の表面にn型半導体22を形成し、n型半導体22の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁
An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加
p型ウエル層2の表面にn^+ 型ソース層4が形成され、n型ドリフト層3の表面にn^+ 型ドレイン層6が形成される。 - 特許庁
The first principal surface 20a includes an n-type surface 20an and a p-type surface 20ap.例文帳に追加
第1の主面20aは、n型表面20an及びp型表面20apを含む。 - 特許庁
For example, the surface of the material is immersed in a solution of di-n-butyl phthalate to treat the surface of the material.例文帳に追加
例えば、素材の表面をフタル酸ジ−n−ブチル溶液に浸漬し、素材の表面を処理する。 - 特許庁
The surfaces of these layers are made nearly parallel with the surface of the n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加
これらの層の表面はn型GaAs基板101の表面に対して略平行になっている。 - 特許庁
The depth of the p/n converting unit from a surface can be not less than 8μm from the surface.例文帳に追加
p/n反転部の表面からの深さは、表面から8μm以上にできる。 - 特許庁
The n-side electrode 17n is formed on the surface of the n-type region 10an.例文帳に追加
n側電極17nは、n型領域10anの表面の上に形成されている。 - 特許庁
An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加
前記N型エピタキシャル層6の表面にN+型ソース層3を形成する。 - 特許庁
An n-type ZnO layer is formed on the surface of an n-type ZnO buffer layer (b).例文帳に追加
(b)n型ZnOバッファ層の表面上に、n型ZnO層を形成する。 - 特許庁
Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加
n^−ドリフト層21の表面にn^+バッファ層22とp^+コレクタ層23を形成する。 - 特許庁
An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加
N−−型の半導体層12の表面には、N−型のドリフト層21が形成されている。 - 特許庁
The n-side metallic protection film covers a surface and a side surface of the n-side contact electrode.例文帳に追加
n側金属保護膜は、n側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 - 特許庁
For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加
たとえば、n型Si基板11の表面に、n型エピタキシャル層12を成長させる。 - 特許庁
The above conducting solution has a surface tension of 30×10^-3 N/m-70×10^-3 N/m.例文帳に追加
そして、上記導電化溶液の表面張力は、30×10^-3N/m〜70×10^-3N/mにする。 - 特許庁
A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加
表面側のN型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけN+層となる。 - 特許庁
An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加
n型InP基板32の表面上にn型InGaAs層34が設けられている。 - 特許庁
The n^- region 101 and n type source region 103 are formed on the main surface 12.例文帳に追加
n^-領域101およびn型ソース領域103は主表面12に形成される。 - 特許庁
A P-type body layer 6 is formed on a surface of an N-type drift layer 2, and an N+type source layer 7 is formed on a surface of the P-type body layer 6.例文帳に追加
N型ドリフト層2の表面にP型ボディ層6を形成し、該P型ボディ層6の表面にN+型ソース層7を形成する。 - 特許庁
A user divides the outer surface of a cylinder, with which the conductive film is formed on the outer surface, into (n) pieces of surface areas (S1).例文帳に追加
ユーザは、導電膜が外表面に形成された円筒の外表面をn個の表面領域に分割する (S1)。 - 特許庁
An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
p型半導体基板1の主表面上にはn^-層2が形成される。 - 特許庁
A p^- diffusion region 5 is formed on the surface of the n^- layer 2.例文帳に追加
このn^-層2の表面にはp^-拡散領域5が形成される。 - 特許庁
The elastic modulus of the surface part 12 is 120 to 220 N/mm^2.例文帳に追加
表面部12の弾性率が120〜220N/mm^2の範囲になっている。 - 特許庁
The surface N (42) is roughened through anisotropic etching.例文帳に追加
N面(42)の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。 - 特許庁
A p base layer 5 is arranged on a surface of an n^- drift layer 1.例文帳に追加
n^-ドリフト層1の表面にはpベース層5が備えられている。 - 特許庁
The surface N (42) is roughened into one or more hexagon-shaped cones.例文帳に追加
また、N面(42)の表面は1つ以上の六角形状円錐に粗くされる。 - 特許庁
An n-type InP substrate 32 has a first surface and a second surface facing each other.例文帳に追加
n型InP基板32は、互いに対向する表面と裏面を有する。 - 特許庁
An n^- dopant layer 4 is formed on the surface of the p^+ isolation layer 3.例文帳に追加
P+分離層3の表面にはN−不純物層4が形成されている。 - 特許庁
Further, the front surface of the n-type GaN substrate 11 comprises a (11-22) plane.例文帳に追加
また、n型GaN基板11の表面は、(11−22)面を有する。 - 特許庁
The surface of an n^- surface area 14 as a surface exposed part of an n^- drift layer 12 with high specific resistance is striped while surrounded with a p well area 13 and the area ratio of the n^- surface area 14 to the p well area 13 including an n^+ source area 15 is 0.01 to 0.2.例文帳に追加
高比抵抗のn^- ドリフト層12の表面露出部であるn^- 表面領域14の表面形状をpウェル領域13で囲まれたストライプ状とし、n^+ ソース領域15を含むpウェル領域13の面積に対するn^- 表面領域14の面積比を、0.01〜0.2の範囲とする。 - 特許庁
An N-type well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加
P型シリコン基板1の表面にN型ウェル2を形成する。 - 特許庁
On the surface of an N type layer 22, a P+ type layer 26 is formed.例文帳に追加
N型層22の表面にはP+型層26が形成されている。 - 特許庁
The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加
ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁
An n-type well region 12 is formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加
基板10の表面にN型ウエル領域12を形成する。 - 特許庁
The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加
その後、n型GaAsバッファ層22の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁
There is provided the polylactic acid-based film wherein at least one surface has a surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 (hereinafter, the surface having the surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 is referred to as surface A).例文帳に追加
フィルムの少なくとも一方の表面の表面窒素濃度N/Cが、1.0×10^−3以上であるポリ乳酸系フィルム(以下、表面窒素濃度N/Cが1.0×10^−3以上の表面を、面Aとする。)。 - 特許庁
The distance from the primary surface to the bottom of an n-type impurity region NR of an I/O n-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the n-type impurity region NR of a core n-type transistor.例文帳に追加
主表面からI/On型トランジスタのn型不純物領域NRの最下部までの距離は、主表面からコアn型トランジスタのn型不純物領域NRの最下部までの距離より長い。 - 特許庁
For example, surface tension of the first releasable resin is in a range of ≥0.01 N/m and ≤0.025 N/m, and surface tension of the second releasable resin is in the range of ≥0.026 N/m and ≤0.05 N/m.例文帳に追加
例えば、第1の剥離性樹脂は、その表面張力が0.01N/m以上0.025N/m以下であり、第2の剥離性樹脂は、その表面張力が0.026N/m以上0.05N/m以下である。 - 特許庁
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