An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode 14 is connected to the n-type surface 20an.例文帳に追加

ｎ側電極１４は、ｎ型表面２０ａｎに接続されている。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

An N- silicon wafer is laminated on the surface of an N+ silicon wafer.例文帳に追加

Ｎ^＋シリコンウェーハの表面に、Ｎ^−シリコンウェーハを張り合わせる。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

In the cold rolled steel sheet having excellent phosphate treatability, S is present on the surface of the steel sheet as a sulfide, and the ratio, N_S/N_Fe, of the atomic number of the S, N_S and the atomic number of Fe, N_Fe in the surface of the steel sheet, is 0.06 to 0.3.例文帳に追加

鋼板表面にSが硫化物として存在しており、鋼板表面の当該Sの原子個数N_SとFeの原子個数N_Feとの比N_S/N_Feが0.06以上0.3以下であることを特徴とするリン酸塩処理性に優れた冷延鋼板。 - 特許庁

The exposed surface of an n^+ Si film 205 is reformed by the surface reforming treatment, and a surface-reformed treatment surface 205a is formed.例文帳に追加

表面改質処理により、ｎ^＋Ｓｉ膜２０５の露出表面が表面改質され、表面改質処理面２０５ａが形成される。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

The first principal surface 20a includes an n-type surface 20an and a p-type surface 20ap.例文帳に追加

第１の主面２０ａは、ｎ型表面２０ａｎ及びｐ型表面２０ａｐを含む。 - 特許庁

For example, the surface of the material is immersed in a solution of di-n-butyl phthalate to treat the surface of the material.例文帳に追加

例えば、素材の表面をフタル酸ジ−ｎ−ブチル溶液に浸漬し、素材の表面を処理する。 - 特許庁

The surfaces of these layers are made nearly parallel with the surface of the n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

これらの層の表面はｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面に対して略平行になっている。 - 特許庁

The depth of the p/n converting unit from a surface can be not less than 8μm from the surface.例文帳に追加

ｐ／ｎ反転部の表面からの深さは、表面から８μｍ以上にできる。 - 特許庁

The n-side electrode 17n is formed on the surface of the n-type region 10an.例文帳に追加

ｎ側電極１７ｎは、ｎ型領域１０ａｎの表面の上に形成されている。 - 特許庁

An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ソース層３を形成する。 - 特許庁

An n-type ZnO layer is formed on the surface of an n-type ZnO buffer layer (b).例文帳に追加

（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。 - 特許庁

The n-side metallic protection film covers a surface and a side surface of the n-side contact electrode.例文帳に追加

ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 - 特許庁

For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加

たとえば、ｎ型Ｓｉ基板１１の表面に、ｎ型エピタキシャル層１２を成長させる。 - 特許庁

The above conducting solution has a surface tension of 30×10^-3 N/m-70×10^-3 N/m.例文帳に追加

そして、上記導電化溶液の表面張力は、３０×１０^-3Ｎ／ｍ〜７０×１０^-3Ｎ／ｍにする。 - 特許庁

A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加

表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁

An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。 - 特許庁

The n^- region 101 and n type source region 103 are formed on the main surface 12.例文帳に追加

ｎ^-領域１０１およびｎ型ソース領域１０３は主表面１２に形成される。 - 特許庁

A P-type body layer 6 is formed on a surface of an N-type drift layer 2, and an N+type source layer 7 is formed on a surface of the P-type body layer 6.例文帳に追加

Ｎ型ドリフト層２の表面にＰ型ボディ層６を形成し、該Ｐ型ボディ層６の表面にＮ＋型ソース層７を形成する。 - 特許庁

A user divides the outer surface of a cylinder, with which the conductive film is formed on the outer surface, into (n) pieces of surface areas (S1).例文帳に追加

ユーザは、導電膜が外表面に形成された円筒の外表面をｎ個の表面領域に分割する (S1)。 - 特許庁

An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。 - 特許庁

A p^- diffusion region 5 is formed on the surface of the n^- layer 2.例文帳に追加

このｎ^-層２の表面にはｐ^-拡散領域５が形成される。 - 特許庁

The elastic modulus of the surface part 12 is 120 to 220 N/mm^2.例文帳に追加

表面部１２の弾性率が１２０〜２２０Ｎ／ｍｍ^２の範囲になっている。 - 特許庁

The surface N (42) is roughened through anisotropic etching.例文帳に追加

Ｎ面（４２）の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。 - 特許庁

A p base layer 5 is arranged on a surface of an n^- drift layer 1.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層１の表面にはｐベース層５が備えられている。 - 特許庁

The surface N (42) is roughened into one or more hexagon-shaped cones.例文帳に追加

また、Ｎ面（４２）の表面は１つ以上の六角形状円錐に粗くされる。 - 特許庁

An n-type InP substrate 32 has a first surface and a second surface facing each other.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２は、互いに対向する表面と裏面を有する。 - 特許庁

An n^- dopant layer 4 is formed on the surface of the p^+ isolation layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋分離層３の表面にはＮ−不純物層４が形成されている。 - 特許庁

Further, the front surface of the n-type GaN substrate 11 comprises a (11-22) plane.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面は、（１１−２２）面を有する。 - 特許庁

The surface of an n^- surface area 14 as a surface exposed part of an n^- drift layer 12 with high specific resistance is striped while surrounded with a p well area 13 and the area ratio of the n^- surface area 14 to the p well area 13 including an n^+ source area 15 is 0.01 to 0.2.例文帳に追加

高比抵抗のｎ^- ドリフト層１２の表面露出部であるｎ^- 表面領域１４の表面形状をｐウェル領域１３で囲まれたストライプ状とし、ｎ^+ ソース領域１５を含むｐウェル領域１３の面積に対するｎ^- 表面領域１４の面積比を、０．０１〜０．２の範囲とする。 - 特許庁

An N-type well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮ型ウェル２を形成する。 - 特許庁

On the surface of an N type layer 22, a P+ type layer 26 is formed.例文帳に追加

Ｎ型層２２の表面にはＰ＋型層２６が形成されている。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

An n-type well region 12 is formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の表面にＮ型ウエル領域１２を形成する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁

There is provided the polylactic acid-based film wherein at least one surface has a surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 (hereinafter, the surface having the surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 is referred to as surface A).例文帳に追加

フィルムの少なくとも一方の表面の表面窒素濃度Ｎ／Ｃが、１．０×１０^−３以上であるポリ乳酸系フィルム（以下、表面窒素濃度Ｎ／Ｃが１．０×１０^−３以上の表面を、面Ａとする。）。 - 特許庁

The distance from the primary surface to the bottom of an n-type impurity region NR of an I/O n-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the n-type impurity region NR of a core n-type transistor.例文帳に追加

主表面からＩ／Ｏｎ型トランジスタのｎ型不純物領域ＮＲの最下部までの距離は、主表面からコアｎ型トランジスタのｎ型不純物領域ＮＲの最下部までの距離より長い。 - 特許庁

For example, surface tension of the first releasable resin is in a range of ≥0.01 N/m and ≤0.025 N/m, and surface tension of the second releasable resin is in the range of ≥0.026 N/m and ≤0.05 N/m.例文帳に追加

例えば、第１の剥離性樹脂は、その表面張力が０．０１Ｎ／ｍ以上０．０２５Ｎ／ｍ以下であり、第２の剥離性樹脂は、その表面張力が０．０２６Ｎ／ｍ以上０．０５Ｎ／ｍ以下である。 - 特許庁