The designer is Alex N. HANSELL who was a member of the Royal Institute of British Architects.発音を聞く 例文帳に追加

設計者は英国王立建築家協会員のALEXN.HANSELL。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It was designed by Hansell (Alex N. HANSELL), a member of Royal Institute of British Architects.発音を聞く 例文帳に追加

設計者は英国王立建築家協会員のハンセル(ALEXN.HANSELL)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Also, the design data of a combinational circuit 202 are copied to generate the design data of the combinational circuit 202 for the preliminarily set number of cycles n (n=2, 3, 4 and so on, n=3 in a figure 4).例文帳に追加

また、組み合わせ回路２０２の設計データを複写してあらかじめ設定されたサイクル数ｎ（ｎ＝２，３，４，…。図４では、ｎ＝３）分の組み合わせ回路２０２の設計データを生成する。 - 特許庁

The design flexibility is enhanced by processing not the p-type layer but the n-type layer.例文帳に追加

ｐ型層ではなくｎ型層を加工することによって、より大きな設計柔軟性がもたらされる。 - 特許庁

The designing on the p-well 113 is the same as that of the n-well 112.例文帳に追加

Ｐウェル１１３上においてもＮウェル１１２上と同様の設計となっている。 - 特許庁

To quickly process the design of a communication path of a communication network for realizing a highly efficient failure restoration system 1:N system.例文帳に追加

高効率な障害復旧方式１：N方式を実現する通信網の通信路の設計を高速に処理する。 - 特許庁

To provide an n-gonal prism-like tank (n≥5, natural number) which can be simply designed, and a redox flow battery system equipped with this tank as a tank for storing an electrolyte.例文帳に追加

設計が簡単なn角柱状(n≧5,自然数)のタンク、及びこのタンクを電解液の貯留用タンクとして具えるレドックスフロー電池システムを提供する。 - 特許庁

Next, spectacle lenses are temporarily designed based on the obtained visual action index M, and directions in which the object n can be seen through the temporarily designed spectacle lenses are simulated (step S5).例文帳に追加

次に、得られた視覚動作指数Ｍに基づいてレンズを仮設計し、仮設計されたレンズを介して物体ｎが見える方向をシミュレートする（ステップＳ５）。 - 特許庁

Each P channel MOS transistor included in the drive circuits Dr0, Dr1 is designed in the same size, and each N channel MOS transistor also is designed in the same size.例文帳に追加

駆動回路Ｄｒ０，Ｄｒ１に含まれる各ＰチャネルＭＯＳトランジスタは、同じサイズに設計され、各ＮチャネルＭＯＳトランジスタも、同じサイズに設計される。 - 特許庁

The steel pipe-concrete composite pile obtained by lining or filling the inside of a steel pipe with concrete satisfies the relation of 325 N/mm^2<σyd≤5.15σc, wherein σyd (N/mm^2) is the designed yielding strength of the steel pipe, and σc (N/mm^2) is compression strength of the concrete.例文帳に追加

鋼管内側にコンクリートをライニングまたは充填した鋼管コンクリート複合杭において、鋼管の設計降伏強度をσyd(N/mm^2)、コンクリートの圧縮強度をσc(N/mm^2)としたときに、325N/mm^2＜σyd≦5.15σcという関係を満たすことを特徴とする鋼管コンクリート複合杭。 - 特許庁

To provide a cluster microelectrode of high S/N ratio capable of designing freely a shape of a conductive part contacting with an analytical object.例文帳に追加

分析物と接触する導電部の形状を自由に設計でき、また、Ｓ／Ｎ比が高い集合微小電極を提供する。 - 特許庁

P^+ diffusion areas 23, 24 and 25 of 14-20 μm in depth (design value) are selectively formed on the surface layer of an n^- semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２２の表面層に、１４〜２０μｍ（設計値）の深さのｐ^+拡散領域２３，２４，２５を選択的に形成する。 - 特許庁

There are m saturation elements 91 whose saturation values cannot be operated by a system designer and n saturation elements 101 whose saturation values can be operated.例文帳に追加

システム設計者が飽和値を操作できないｍ個の飽和要素９１と操作できるｎ個の飽和要素１０１がある。 - 特許庁

A delay S unit 1 delays input data of an input data bus width n by a setup time which is a design value of a synchronous data transfer method.例文帳に追加

遅延Ｓ部１は、入力データバス幅ｎの入力データを同期データ転送方式の設計値であるセットアップタイム分遅延させる。 - 特許庁

To make thrust force 0 [N] by appropriately designing a shape of a tool and to fully support actual machining.例文帳に追加

工具の形状を適切に設計することによって背分力を０［Ｎ］とし且つ実際の加工に十分に適応可能とする。 - 特許庁

At this time, a designer can consider delay and clock cycles between terminals by the smallest number of flip-flop N.例文帳に追加

このときに、設計者は、最も小さいフリップフロップ数Ｎにより、端子間の遅延とクロックサイクルとを考慮することができる。 - 特許庁

The 'N' links are designed to nest one into the other without coming into contact with each other or overlapping with each other between crimps.例文帳に追加

この“Ｎ”リンクは襞付け（crimping）の間に接触したり重なったりすることなく、一方が他方の中に入れ子になるように設計されている。 - 特許庁

Therein the arrangement is such that the vertical length (M+N) of each aperture B may be designed to be longer gradually as going toward the left and right ends.例文帳に追加

このとき、電子ビーム通過孔Ｂの縦長さ（Ｍ＋Ｎ）を左右両端に向かうにしたがって徐々に長くするように設計することができる。 - 特許庁

The edge part of the opening part 7c plays a role of a supporting sheet for a head part of each nipple N designed so as to be inserted into the opening part.例文帳に追加

前記開口部７ｃのエッジ部は、該開口部に挿入されるように設計された各ニップルＮのヘッド部の支持シートの役割を果たす。 - 特許庁

To provide a time division switch capable of making flexible phase diagram design with an n-face buffer also provided with a phase absorption function at the same time.例文帳に追加

位相吸収機能も同時に兼ね備えたｎ面バッファにより、柔軟な位相ダイヤ設計を可能にする時分割スイッチ装置を提供する。 - 特許庁

The basic cell for designing a gate array or a standard cell integrated circuit has N and P wells arranged in checker board pattern wherein each well includes P and N devices.例文帳に追加

ゲートアレイまたはスタンダードセル集積回路設計のための基本セルは、チェッカー盤態様に編成されたＮおよびＰウェルを有し、各ウェルはそれぞれＰおよびＮデバイスを含む。 - 特許庁

An open drain selection circuit B selectively applies open drain to a P channel or an N channel so as to attain the selection of the P or N channel after the circuit design.例文帳に追加

オープンドレイン選択回路Ｂにより、Ｐチャネル及びＮチャネルの何れか一方を選択的にオープンドレインとするようにし、回路設計後のＰチャネル又はＮチャネルのオープンドレインの選択を可能とする。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit that corrects a duty ratio to a desired numeric value even if the characteristics of an N-type transistor and a P-type transistor deviate from the design stage due to variations in process and change in process.例文帳に追加

プロセスバラツキや、プロセス変更によりN型トランジスタ及びP型トランジスタ双方の特性が設計段階に対してずれても、デューティ比を所望の数値に補正するデューティ補正回路を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is formed as a part of the constitution that pre-designed circuit components, i.e., M-cannel MOS transistors 1, p-channel MOS transistors 2 and n-wells 3 are coupled through wirings.例文帳に追加

半導体集積回路は、予め設計された回路部品であるＭチャンネルＭＯＳトランジスタ１，PチャンネルＭＯＳトランジスタ２およびNウェル３が配線により結合され構成内容の一部として形成される。 - 特許庁

The dopant concentration of the active layer is set to N_d(cm^-3), and the amount of voltage shift in the gate voltage-drain current characteristics is set to approximately 1.37×10^-17×N_d(V) for designing the thin-film transistor.例文帳に追加

活性層のドーパント濃度をＮ_ｄ（ｃｍ^−３）と設定して、ゲート電圧−ドレイン電流特性の電圧シフト量を略１．３７×１０^−１７・Ｎ_ｄ（Ｖ）として薄膜トランジスタの設計を行う。 - 特許庁

A loop filter 13 determines the values of filter coefficients α2, ρ2 on the basis of the value of the control sensitivity K_DCO2 so as to obtain previously designed natural frequency ω_n and damping factor ζ.例文帳に追加

ループフィルタ１３は、制御感度Ｋ_DCO２の値に基づいて、予め設計した固有周波数ω_n及びダンピングファクタζとなるように、フィルタ係数α２及びρ２の値を決定する。 - 特許庁

A P-N junction element ta is applied to a power circuit, where the P-N junction element ta is effective when mounted to each signal and communication functional circuit, activates Peltier effect and Seebeck effect in the same element, and gives noise reduction effect.例文帳に追加

個々の「弱電」機能回路に対して設計製造時に取付けて効果がある「ペルチェ効果及びゼーペック効果を同一素子内で発生してノイズ低減効果を与えるＰＮ接合素子」ｔａを「強電」回路に応用する。 - 特許庁

The second composition is the same as the design composition showing a target value of the constituting units α'_1 to α'_n-containing ratio in the polymer (P) and the first composition is a previously found composition taking the design composition and the reactivity of each monomer used in polymerization into consideration.例文帳に追加

第２の組成は、重合体（Ｐ）における構成単位α’_１〜α’_ｎの含有比率の目標値を表わす設計組成と同じであり、前記第１の組成は、該設計組成と、重合に用いられる各単量体の反応性を加味して予め求められた組成である。 - 特許庁

The method comprises a step of determining a probability density function P1(x) of displacement x of transistor characteristics generated by application of a single charge, and a step of determining a design margin M to be taken into consideration in circuit design based on the P1(x) and appearance probability of the number n of charges to be applied.例文帳に追加

単一の電荷が付加されることにより生じるトランジスタ特性の変位ｘの確率密度関数Ｐ１（ｘ）を決定する工程と、Ｐ１（ｘ）と、付加される電荷の個数ｎの出現確率と、を元に回路設計上想定すべき設計余裕Ｍを決定する工程と、を備える。 - 特許庁

A design grid a2 which is larger than the minimum processing size is set; a rounding process using a2 is performed for r_n, a ring zone radius rr_n and the focal length f2_n of each ring zone for the case are found; and further a second phase distribution P2 relating to rr_n is obtained.例文帳に追加

前記最小加工寸法より大きい設計グリッドａ２を設定し、ｒ_ｎについてａ２を用いた丸め処理を行い、その場合の輪帯半径ｒｒ_ｎと各輪帯の焦点距離ｆ２_ｎを求め、ｒｒ_ｎに係る第２の位相分布Ｐ２を求める。 - 特許庁

The inside concrete portion 14B is made of ultra-high strength concrete (for example with a design strength of equal to or larger than 60 N/mm^2) and the outside concrete portion 14A is made of concrete having lower concrete strength (for example with the design strength less than 60 N/mm^2) than the inside concrete portion 14B.例文帳に追加

内側コンクリート部１４Ｂは、超高強度コンクリート（例えば、設計基準強度６０Ｎ／ｍｍ^２以上）で構成され、外側コンクリート部１４Ａは内側コンクリート部１４Ｂよりもコンクリート強度が低いコンクリート（例えば、設計基準強度６０Ｎ／ｍｍ^２未満）で構成されている。 - 特許庁

To provide a polymerizable composition which has better liquid component storage stability than that of a conventional composition comprising a copper compound, cumene hydroperoxide and N-acetylthiourea, and does not have a longer or shorter polymerization curing time than that on the designing of a product, even when stored.例文帳に追加

従来の銅化合物とクメンヒドロペルオキシドとN-アセチルチオ尿素との組み合わせを用いた組成物よりも更に液成分の保存安定性が良く、保存によって重合硬化時間が製品の設計時よりも遅延したり早まったりすることがない重合性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a battery pack which can sense a voltage of the n+1th battery cell only with an integrated circuit for sensing individual cell voltage designed so as to sense only voltages of n battery cells without adding a complex circuit separately.例文帳に追加

ｎ個のバッテリーセルの電圧のみを感知するように設計された個別セル電圧感知用集積回路だけで、別途の複雑な回路を追加しなくてもｎ＋１番目のバッテリーセルの電圧を感知することができるバッテリーパックを提供する。 - 特許庁

RACE-PCR is performed by extracting an mRNA from the strain and designing a primer based on the amino acid sequence information of the N-terminal amino acid of the purified TAP, and a full-length TAP gene is obtained.例文帳に追加

また、上記菌株からｍＲＮＡを抽出し、精製ＴＡＰのＮ末端アミノ酸の配列情報に基づいてプライマーを設計することによりＲＡＣＥ−ＰＣＲを行ない、これにより完全長のＴＡＰ遺伝子を得る。 - 特許庁

A ring zone radius r_n and a phase distribution P1 are derived from a first design grid space a1 which is sufficiently smaller than the minimum processing size of the semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスの最小加工寸法より十分に小さい第１の設計グリッド間隔ａ１で輪帯半径ｒ_ｎと位相分布Ｐ１を求める。 - 特許庁

Isolation diodes D32a and D32b configured by the p-type regions 3a and 3b and the n-type semiconductor substrate 2 are designed so that the breakdown voltage may become higher than the sum of the forward drop voltages of all the LEDs.例文帳に追加

また、Ｐ型領域３ａ，３ｂとＮ型半導体基板２とで構成される分離ダイオードＤ３２ａ，Ｄ３２ｂは、その降伏電圧が、全ＬＥＤの順方向降下電圧の和よりも高くなるように設計する。 - 特許庁

To provide a simulation device for verifying a clock-synchronized logic circuit including an N cycle multi-cycle path by a simple method in the initial stage of circuit design.例文帳に追加

Ｎサイクルのマルチサイクルパスを含んだクロック同期の論理回路の検証を、回路設計初期段階で簡単な方法で実施することができるシミュレーション装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The layout of a P-type electrode and an N-type electrode and the shape of a light emitting surface are newly designed, by which the problem of a center recess in the far field beam pattern of a gallium nitride light emitting diode can be solved.例文帳に追加

本発明は、Ｐ型電極とＮ型電極の配置方式及び発光面の形状を新たに設計することにより、窒化ガリウム系発光ダイオードの遠場光束図案（farfield beam pattern）の中央凹みの問題を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms n-type and p-type FinFETs provided with a channel surface having a high mobility by removing the constraint on the circuit designing using a semiconductor substrate wherein two wafers are bonded together.例文帳に追加

２枚のウェーハを貼り合わせた半導体基板を用い、回路設計上の制約を抑え、高い移動度を有するチャネル面を備えたｎ型、ｐ型のＦｉｎＦＥＴを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method described allows selection and/or design of the anode and the cathode materials by n-or p-doping semiconductor materials.例文帳に追加

記載した方法は、アノード材料およびカソード材料を、ｎまたはｐドーピング半導体材料によって選択および／または設計できるようにするものである。 - 特許庁

To provide an explosive fracture-resistant cement hardened body which has excellent explosive fracture resistance, whose strength designing is easily carried out, since it exhibits ≥30 N/mm^2 practical strength, and which is hardly affected by inherent water.例文帳に追加

耐爆裂性に優れ、実強度で３０Ｎ／ｍｍ^2以上を発現するために強度設計も容易で、また、セメント硬化体の内在水分の影響を受けにくい耐爆裂性セメント硬化体を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection method for an encoder capable of efficiently inspecting whether an inclination angle of a boundary between an S pole and an N pole existing on a face to be detected of an encoder 4 is accurate as designed.例文帳に追加

エンコーダ４の被検出面に存在するＳ極とＮ極との境界の傾斜角度が、設計通り正確であるか否かを効率良く検査できる検査方法を実現する。 - 特許庁

In a trial product planning section, a plurality of levels of a plurality (n) of design parameters of the product are inputted to output a trial product plan based on a prescribed orthogonal table (201).例文帳に追加

試作品計画部は、製品の複数(ｎ)の設計パラメータの複数の水準を入力とし、所定の直交表に基づき試作品計画を出力する(201)。 - 特許庁

To provide a method of designing a semiconductor device capable of easily optimizing the threshold voltage of an enhancement n-type MIS transistor in which the conducive type of a gate electrode is p-type, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ゲート電極の導電型をｐ型としたエンハンスメントｎ型ＭＩＳトランジスタの閾値電圧を簡単に最適化できるようにした半導体装置の設計方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁