負電子親和材料の英語

光電陰極膜３は、例えば、金、白金などの金属、低仕事関数材料や、小さいもしくは負の電子親和力を有する半導体から成る。例文帳に追加

The photoelectriccathode film 3 is made from, for example, gold, platinum, low work function materials, or semiconductor having small or negative electron affinity. - 特許庁

ここで、本素子電極４は、素子電極２と同様に導電性を有しており、かつ、電子親和力が負である材料から選択される。例文帳に追加

The element electrode 4 similarly to the element electrode 2 is selected from a conductive material of which the electron affinity is negative. - 特許庁

なお、電子放出層１０５は、電子放出層となる粒状構造体または極細構造体のＡｌＮ、ＧａＮ、ダイヤモンド等の負の電子親和力（ＮＥＡ：Negative ElectronAffinity）を示す材料で構成されている例文帳に追加

The electron emission layer 105 is constructed of material such as AlN, GaN, diamond or the like having a granular structure or very fine structure serving as an electron emission layer and having a negative electron affinity(NEA). - 特許庁

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。例文帳に追加

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function. - 特許庁

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。例文帳に追加

The emitter 26 is composed of a metal-plated layer 42 formed on the cathode electrode 22 and a plurality of grain-shaped or stick-shaped fine bodies 44, supported on the metal plated layer 42 in a scattered state, made of a material chosen from fullerene, carbon nanotube, graphite, a material with a low work function, a material with negative electron affinity force, and a metallic material. - 特許庁

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。例文帳に追加

The emitter 26 has a metal plating layer 42 formed on the cathode electrode 22, and plural granular or bar-shaped fine bodies 44 composed of a material selected from a group composed of fullerene, a carbon nanotube, graphite, a low work function material, a negative electronic affinity material, and a metallic material, and supported by the metal plating layer 42 in a dispersive state. - 特許庁

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。例文帳に追加

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging. - 特許庁