貼り合わせ機の英語

次に、ＬＴ基板１０の裏面に有機接着剤１３を塗布し、シリコン基板１２と貼り合わせて貼り合わせ基板１６を形成する（図５（ｂ））。例文帳に追加

Then the LT substrate 10 has its backsides coated with an organic adhesive 13 and is stuck on the silicon substrate 12 to form a stuck substrate 16 (Fig.5(b)). - 特許庁

基板貼り合わせ装置、その装置によって製造された電気光学装置、電子機器および基板貼り合わせ方法例文帳に追加

SUBSTRATE BONDING APPARATUS, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME AND SUBSTRATE BONDING METHOD - 特許庁

廉価で処理効率の高い、貼り合わせ検査機能を有する自動ウェーハ貼り合わせ装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an automatic wafer laminating apparatus featuring high processing efficiency and having a lamination inspection function at low cost; and a method of laminating wafers. - 特許庁

かつ、第４表面には複数の貼り合わせ構造が形成してあり、機械的に（Mechanically）第１表面の複数のフック体に貼り合わせることができる。例文帳に追加

The fourth surface is formed with a plurality of latching structures for being mechanically latched by the hooks on the first surface. - 特許庁

貼り合わせ前のウェーハに有機物を吸着させてゲッタリングサイトを形成する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における有機物の面内分布にばらつきを低減する。例文帳に追加

To reduce variation in the in-plane distribution of an organic matter on the bonding interface in the method of manufacturing a bonding semiconductor-on-insulator (SOI) wafer where a gettering site is formed by making a wafer to be bonded adsorb the organic matter. - 特許庁

アライメント実施後の基板貼り合わせ時の機械精度による位置ずれを、事前に直接確認して、位置ずれ量が許容値以上であった場合、基板の貼り合わせをやり直すことができる基板貼り合わせ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate bonding method for confirming in advance positional deviation caused by mechanical accuracy in bonding substrates after the alignment and re-executing bonding of the substrates when a positional deviation amount reaches a permissible value or larger. - 特許庁

位置決め後にパレット２０を仮貼り機に載せて、画像シート１０とレンチキュラ板１１とを貼り合わせる。例文帳に追加

The pallet 20 is put on a temporary sticking machine after positioning, and the sheet 10 and the plate 11 are stuck. - 特許庁

次に、ＬＴ基板１０に有機接着剤１３を塗布しシリコン基板１２と貼り合わせると共に樹脂フィルム１８をシリコン基板１２に重ね合わせた後加熱して貼り合わせ基板１６を形成する。例文帳に追加

Then the LT substrate 10 is coated with an organic adhesive 13 and stuck on the silicon substrate 12, and the resin film 18 is put over the silicon substrate 12 and then heated to form a stuck substrate 16. - 特許庁