近接アンプの英語

例えば、出力レベルに応じていずれか一方が活性化されるパワーアンプ回路ＰＡ２ｍ，ＰＡ２ｓと、伝送線路ＬＮｍｎ，ＬＮｓｕｂを備え、ＬＮｍｎ，ＬＮｓｕｂが互いに近接配置された領域を持つ。例文帳に追加

For example, the high frequency power amplification device includes power amplifier circuits PA2m and PA2s, either of which is activated in accordance with an output level, and transmission lines LNmn and LNsub, both having regions juxtaposed to each other. - 特許庁

そして、パワーアンプ１９からの出力電力が閾値以上で、且つ、近接センサ２３が物体を検出している場合には、整合回路１６ｂ側を選択し、それ以外では、整合回路１６ａ側を選択する。例文帳に追加

When output power from a power amplifier 19 is a threshold or more and a proximity sensor 23 detects an object, the matching circuit 16b side is selected, and in other cases, the matching circuit 16a side is selected. - 特許庁

近接妨害波除去装置２０は、方向性結合器２１で送信機１の出力信号の一部を打ち消し用信号として分離し、可変減衰器２４及び可変移相器２５を介してリニアアンプ２６に入力する。例文帳に追加

A near disturbance wave eliminating device 20 uses a directional coupler 21 which separates part of an output signal received from a transmitter 1 as a cancellation signal, and gives the signal to a linear amplifier 26 via a variable attenuator 24 and a variable phase shifter 25. - 特許庁

また、受光面２１ａの外周端に近接し、かつ、アンプ部２２に重ならない領域のＩＣチップ１２の表面には、遮光層１４が形成されている。例文帳に追加

A light-shielding layer 14 is formed, in a region of the IC chip 12 which is close to the outer peripheral of the light-receiving surface 21a and which does not overlap the amplifier 22. - 特許庁

パワーアンプ２２で増幅された送信信号をアンテナ１１に送り且つアンテナ１１からの受信信号を受信回路に送るデユプレクサ２３が、アンテナ１１に近接し且つプリント基板２１上のレシーバ１２配置側とは反対の面側に実装され、パワーアンプはデユプレクサ２３とプリント基板２１上の同一面側に実装されている。例文帳に追加

A duplexer 23 for sending a signal amplified by a power amplifier 22 to an antenna 11 and sending a received signal from the antenna 11 to a receiver circuit is packaged proximately to the antenna 11 on the surface opposite to the location side of a receiver 12 on a printed circuit board 21, and the power amplifier is packaged on the same surface as the duplexer 23 on the printed circuit board 21. - 特許庁

受信部２０３は、信号送信電極１１が誘起した近接電界によって、信号受信電極２１に誘起された電圧より、伝送信号を受信し、比較器２０４は、受信した伝送信号波形を成形し、アンプ２０５を介して、データ復号部２０６に出力する。例文帳に追加

A receiver 203 receives a transmission signal with a voltage induced at a signal reception electrode 21 according to the proximity electric field induced by the signal transmission electrode 11. - 特許庁

特性調整端子３における耐ノイズ強度が向上することによって、特性調整用端子３と近接に配置された、オペアンプなどの回路本体１２内部の素子が誤作動を起こすことがなくなるため、圧力センサチップ５の出力変動を抑制することができる。例文帳に追加

Thus, since an element in the circuit body 12 such as an operational amplifier or the like disposed near the terminal 3 is not erroneously operated, an output change of a pressure sensor chip 5 can be suppressed. - 特許庁

半導体チップ１０に形成されたアレイ状に配列された複数のサーモパイル素子からなるサーモパイル型エリアセンサ１２と、エリアセンサ１２の出力を増幅するアンプ１３と、エリアセンサ１２の周辺部の少なくとも一部に近接して配置形成された熱伝導性金属膜１１とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor chip 10 comprises the area sensor 12 of thermopile type consisting of a plurality of thermopile elements arranged into an array; an amplifier 13 for amplifying output of area sensor 12; and a heat conductive metal membrane 11, arranged at least adjacent to a part of periphery of the area. - 特許庁