部分転位の英語

特定部分を分離したとき残余部分の回転を阻止すると共に特定部分を装着したとき車輪の回転を可能とするロック機構を設けてなるから、特定の分離位置及びそれ以外のいずれの回転位置であっても、特定部分の残余部分からの離反を阻止することができる。例文帳に追加

To prevent the separation of a specific portion from a remaining portion to be hindered by providing a locking mechanism preventing the remaining portion from rotating when the specific portion is separated and permitting wheels to rotate when the specific portion is mounted even at a specific separation position and any rotation position other than that. - 特許庁

さらに別の態様では、転位、積層欠陥が存在する部分に対して、当該部分の素子特性に対する影響を低減するために当該部分を不活性化する構造を付加する処理を行う。例文帳に追加

Further, in another embodiment, processing for adding a structure is performed, where the structure is used to inactivate a part where the lamination defects are present to reduce influence to the element characteristics of the part. - 特許庁

種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pulling method for silicon single crystal which can prevent propagation of heat shock dislocation that occurs in the seed crystal to a product part and can safely pull a large diameter dislocation-free single crystal. - 特許庁

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。例文帳に追加

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal. - 特許庁

第１の部分１１を構成する材料は、１×１０^3ｃｍ^-2以上１×１０^7ｃｍ^-2未満の転位密度を有する。例文帳に追加

The material composing the first part 11 has dislocation density of 1×10^3 or more but smaller than 1×10^7 cm^-2. - 特許庁

この場合、横方向に成長した部分、つまり凹部１２上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。例文帳に追加

Here, a low dislocation region is formed at a laterally grown part, or at the upper part of the recessed part 12 for a high-quality film. - 特許庁

孔版の絵柄が無い部分が下側となる回転位相で孔版印刷機の回転を停止させ、孔版の孔からインキが垂れないようする。例文帳に追加

To prevent ink from dripping through the holes of the screen by stopping the rotation of a stencil printing machine in a rotating phase in which the pattern-free portion of the screen comes to a lower position. - 特許庁

このときGaN32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、GaN層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。例文帳に追加

Upper part of the part where GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction may be a region where propagation of through dislocation in the GaN layer 31 is suppressed. - 特許庁