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配位子間の英語
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英訳・英語 interligand
「配位子間」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1188件
中間配線盤の端子位置特定装置例文帳に追加
TERMINAL POSITION SPECIFYING DEVICE FOR INTERMEDIATE WIRING BOARD - 特許庁
配線形成層2は、素子層1と電子部品層3との間に位置する。例文帳に追加
The wiring formation layer 2 is located between the element layer 1 and the electronic parts layer 3. - 特許庁
このバンプ接続用端子部19は、貫通孔21から離間した位置に配設される。例文帳に追加
The bump connection terminal part 19 is spaced apart from the through- hole 21. - 特許庁
また、前記非画像形成領域に前記カソード側に高電位側配線と低電位側配線と前記高電位側配線と前記低電位側配線と間の電子放出素子とを備え、前記異常放電の際に前記高電位側配線と前記低電位側配線間に所定電圧を印加することを特徴とする。例文帳に追加
Moreover, the image forming device is characterized by being provided with electron emission elements between high potential side wiring and low potential side wiring to apply a prescribed voltage between the high potential side wiring and the low potential side wiring in the case of the abnormal discharge. - 特許庁
磁気抵抗効果素子MRは、第2配線W2と共通配線WCとの間にも位置している。例文帳に追加
A magnetoresistance effect element MR is positioned also between a second wiring W2 and a common wiring WC. - 特許庁
この発光性遷移金属錯体は、有機配位子で囲まれた内部空間を有し、有機配位子は、少なくとも1つの配位結合形成基が亜鉛イオンと配位結合を形成している。例文帳に追加
The luminescent transition metal complex has an inner space surrounded by the organic ligand, and in the organic ligand, at least one coordination bond-forming group forms a coordination bond with the zinc ion. - 特許庁
受光素子拡大配置部11bは、受光素子等間隔配置部11aを中心として対称となる周辺位置に配置される。例文帳に追加
The photodetector extension arrangement part 11b is arranged at a peripheral position symmetrical with respect to the photodetector evenly spaced arrangement part 11a as a center. - 特許庁
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「配位子間」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1188件
Er原子が、GaAs結晶の格子間位置に配位した発光素子用ErドープGaAs結晶3を提供する。例文帳に追加
There is provided an Er-doped GaAs crystal 3 for light emitting element aligned at the position among the lattices of the GaAs crystal. - 特許庁
第2端子部5及び第3端子部6は、第1端子部4を互いの間に位置付ける位置に配置されている。例文帳に追加
The second terminal portion 5 and the third terminal portion 6 are arranged in positions holding the first terminal portions 4 in between. - 特許庁
内部空間を有する中空金属錯体であって、該錯体を形成する配位子として有機ラジカル配位子を含む中空金属錯体、および該錯体の配位子の合成方法。例文帳に追加
The hollow metal complex having an inner space is characterized by containing an organic radical ligand as a ligand for forming the complex, and the method for synthesizing the ligand of the complex. - 特許庁
対向電極間に、金属原子と、2つ以上の該金属原子と結合可能な配位子とを含有する高分子材料を有する電気化学デバイスであって、該配位子の少なくとも1つが、3つ以上の金属原子と結合可能な配位子Aであることを特徴とする電気化学デバイス。例文帳に追加
In the electrochemical device having the polymeric material containing metal atoms and ligands capable of being coupled with two or more metal atoms between opposite electrodes, at least one of the ligands is a ligand A capable of being coupled with three or more metal atoms. - 特許庁
光センサ20を構成するTFT20aの電流出力端子の配線とCOM配線14aとの間にシールド配線21を設け、電流出力配線とCOM配線14aとの間の電位差が時間的に変動しないように、シールド配線21の電位を所定電位に固定しておく。例文帳に追加
Shield wiring 21 is provided between the wiring of a current output terminal of a TFT 20a constituting an optical sensor 20 and COM wiring 14a, and the potential of the shield wiring 21 is fixed to predetermined potential so that a potential difference between the current output wiring and the COM wiring 14a is not varied with time. - 特許庁
金属イオンと有機配位子とからなる金属錯体が前記配位子間の水素結合を介して連結され、又は金属イオンと有機配位子とからなる金属錯体が、異なる金属錯体間の金属イオンと有機配位子との配位子結合により複数連結されて集合体を形成し、該集合体が水素結合によりさらに連結され、所定の大きさの細孔が規則的に形成されていることを特徴とする。例文帳に追加
The metal complex molecules composed of a metallic ion and an organic ligand are bonded through hydrogen bond between the ligands or a plurality of the metal complex molecules are bonded through a ligand bond between the metallic ion and an organic ligand of different metal complex molecule, and the formed aggregates are bonded with each other through hydrogen bond to form regularly arranged pores each having a prescribed size. - 特許庁
この構成の、分路抵抗器の表側に配置された負荷端子は、第1の供給電位と第2の供給電位との間に配置される。例文帳に追加
Load terminals arranged on the surface side of the shunting resistor in the constitution are arranged between a first supply potential and a second supply potential. - 特許庁
配線抵抗R7は、その金属配線の中間位置と演算増幅器1の非反転入力端子と接続する金属配線により形成する。例文帳に追加
The wiring resistor R7 is formed by the metal wiring, for connecting an intermediate position of the metal wiring to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 1. - 特許庁
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