金属フォトダイオードの英語

これにより、金属コンタクトスタッドを形成するための残滓がフォトダイオード領域に残留されない。例文帳に追加

This does not allow the residue for forming a metal contact stud to remain in the photodiode area. - 特許庁

金属ブロック部品内において、わずかな散乱光でもフォトダイオードに入射することがない、光伝送モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide an optical transmission module in which even slight scattered light does not enter a photodiode in a metal block component. - 特許庁

このため、金属配線層３７は遮光膜によって覆われていないため、フォトダイオード上の開口部３１の面積を広げることができる。例文帳に追加

Since the metallic wiring layer 37 is not covered by a light-shielding film, the area of an opening 31 on a photodiode can be extended. - 特許庁

色素増感型太陽電池、有機ＥＬ、分子スイッチング素子、分子メモリや分子フォトダイオード用の金属錯体色素として利用が可能である。例文帳に追加

The ruthenium complex can be used as a raw material for metal complex pigments for organic EL, molecular switching elements, molecular memories and molecular photodiodes. - 特許庁

色素増感型太陽電池、有機ＥＬ、分子スイッチング素子、分子メモリや分子フォトダイオード用の金属錯体色素として利用が可能である。例文帳に追加

The solution can be used as a metal complex pigment for pigment sensitization type solar cells, organic EL, molecular switching elements, molecular memories, and molecular photodiodes. - 特許庁

その結果、高融点金属層はステップカバレッジが良いので、フォトダイオードの形成領域上面にある開口部の段差で高融点金属層は破断しない。例文帳に追加

Since the high melting metal layer has good step coverage, the high melting metal layer does not break by the level difference of the opening on the upper face of the forming region of the photodiode. - 特許庁

遮光膜３０は、複数層の金属配線層５０〜５２のうちの最下層の金属配線層５０よりも低くかつ複数のフォトダイオード１６の表面よりも高い位置に位置する。例文帳に追加

The light shield film 30 is positioned below the lowermost metal wiring layer 50 among the plurality of metal wiring layers 50 to 52 and above surfaces of the plurality of photodiodes 16. - 特許庁

レーザダイオードモジュール１４が実装された第１の高周波回路基板１２を、金属基台１１の一方の面に、フォトダイオードモジュール１５が実装された第２の高周波回路基板１３を、金属基台１１の他方の面に固定する。例文帳に追加

A first high-frequency circuit substrate 12 where a laser diode module 14 is packaged is fixed to one surface in a metal substrate 11. - 特許庁