閉じ込めポテンシャルの英語

これにより、イオントラップ内部の閉じ込めポテンシャルが浅くなり、捕捉されているイオンの速度が下がる。例文帳に追加

As a result, a confinement potential inside an ion trap becomes shallow and the speed of captured ions drops. - 特許庁

構造モデル設定部１１は、ＦＥＴのヘテロ構造がチャネル領域を形成する閉じ込めポテンシャルを有するとともに単一の半導体層からなると仮定して仮想構造モデルを設定する。例文帳に追加

The structure model setting part 11 sets a virtual structure model, assuming that hetero-structure of a FET has a confinement potential for forming a channel area and comprises a single semiconductor layer. - 特許庁

多重量子井戸の障壁層中に，電子・正孔のうち片方のキャリヤ（通常は正孔）のみを閉じ込めるポテンシャルを有するｔｙｐｅ−ＩＩ型量子ドットを，埋め込み成長する。例文帳に追加

A type-II version quantum dot which has potential to shut only carrier (usually holes) of one out of electrons/holes is subjected to padding and growth in a barrier layer of a multiple quantum well. - 特許庁

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁

閉じ込めポテンシャルが浅くなることでイオンは空間的に拡がるが、その拡がりがＴＯＦＭＳにおいて補正可能なエネルギ幅内に収まるように周波数を上昇させる時間を定めておくことにより、質量分解能を改善することができる。例文帳に追加

For reasons that the confinement potential becomes shallow, icons expand spatially, but, if a time in which a frequency is raised is predetermined so that the expansion will settle within an energy width correctable by a TOFMS, it is possible to improve a mass resolution. - 特許庁

多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。例文帳に追加

To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer. - 特許庁

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。例文帳に追加

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points. - 特許庁