障壁共鳴トンネルの英語

共鳴トンネルダイオードは、バッファ層２２と、サブエミッタ層２３と、エミッタ層２４と、スペーサ層２５と、第１の障壁層２６と、井戸層２７と、第２の障壁層２８と、電子走行層２９と、コレクタ層３０とが、基板２１上に順次積層された構造からなる。例文帳に追加

The resonance tunnel diode has a structure where a buffer layer 22, a sub-emitter layer 23, an emitter layer 24, a spacer layer 25, a first barrier layer 26, a well layer 27, a second barrier layer 28, an electron transit layer 29, and a collector layer 30 are laminated sequentially on a substrate 21. - 特許庁

発振素子は、第1の障壁層と量子井戸層11と第2の障壁層とを含み構成される利得媒質を、第1の厚さ調整層9と第2の厚さ調整層13との間に介在させて構成されている共鳴トンネルダイオードを備える。例文帳に追加

The oscillation element is equipped with the resonant tunneling diode constituted by interposing a gain medium constituted by including a first barrier layer, a quantum well layer 11, and a second barrier layer between a first thickness adjustment layer 9 and a second thickness adjustment layer 13. - 特許庁

障壁層２１と量子井戸層２２の各材料と各厚さを、電子が障壁層２１をトンネル効果により通過可能でありかつ量子井戸層２２の不純物による量子準位と障壁層２１のＸ準位とが所定のバイアス電圧で共鳴状態となるように選択的に設定される。例文帳に追加

In this case, the thickness of the materials of each barrier layer 21 and quantized well layer 22 is selectively set so that electrons can be transmitted through the barrier layers by tunnel effects, and a quantization level due to the impurity of the quntized well layers 22 and the X level of the barrier layers 21 can be turned into resonance states by a prescribed bias voltage. - 特許庁

共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。例文帳に追加

A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity. - 特許庁

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。例文帳に追加

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted. - 特許庁

利得媒質4は、2つ以上の量子井戸層9、11と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層8、10、12から構成されて、2つ以上の量子井戸層9、11のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成である。例文帳に追加

The gain medium 4 comprises two or more quantum well layers 9 and 11 and a plurality of barrier layers 8, 10 and 12 for separating the respective quantum well layers, and is in a configuration based on a resonance tunnel diode wherein the transition of the carrier occurs through a photon assist tunnel between the subbands of the two or more quantum well layers 9 and 11 and the gain is generated. - 特許庁