A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

The N-MAA crystal having little caking properties is obtained by subjecting a crystalline N-MAA to exposing treatment to an atmosphere containing an acidic gas or a basic gas.例文帳に追加

結晶状N-MAA を、酸性ガスまたは塩基性ガスを含む雰囲気下に曝露処理し、固結性の小さい N-MAA結晶を得る。 - 特許庁

The heat treatment is conducted under the non-oxidizing and non-nitriding atmosphere, and at this time the heat treatment is conducted under the atmosphere of dopant being mixed so that the n-type drift region 2 can be kept at the desired density.例文帳に追加

この熱処理は、非酸化性かつ非窒化性雰囲気下で行うが、このとき、ｎ型ドリフト領域２が所望の濃度に維持されるように、ドーパントが混入された雰囲気下にて、熱処理する。 - 特許庁

The crystalline N-MAA having substantially free from the aldehyde-like smell is held and stored in the atmosphere containing the acidic gas or the basic gas.例文帳に追加

実質的にホルムアルデヒド様臭がない結晶状N-MAA を、酸性ガスまたは塩基性ガスを含む雰囲気下に保持して貯蔵する。 - 特許庁

Although a cavity N hermetically sealed by the bonding is formed, the cavity N has an atmosphere of nitrogen gas (inert gas).例文帳に追加

この接合により気密封止されたキャビティＮが形成されるが、当該キャビティＮは窒素ガス（不活性ガス）雰囲気としている。 - 特許庁

Mg diffuses in the n^--GaN layer 11 for activation when subjected to thermal treatment for three hours at 900°C in an ammonia atmosphere.例文帳に追加

次に、アンモニア雰囲気中で９００℃、３時間、熱処理を行うと、Ｍｇがｎ^- −ＧａＮ層１１中に拡散し、同時に活性化する。 - 特許庁

By the above agitation process, a nitrogen component (N_2 or N) in the atmosphere is always sufficiently captured in the mixture flux.例文帳に追加

この様な攪拌処理によって、雰囲気中の窒素成分（Ｎ_2またはＮ）が混合フラックス中に常時十分に取り込まれる。 - 特許庁

The manufacturing method comprises preparing an alloy material containing the ThMn_12 type crystal phase, and heating and keeping the alloy material under a pressurized atmosphere containing N to nitride it.例文帳に追加

ＴｈＭｎ_12型結晶相を含む合金素材を作製し、Ｎを含む加圧雰囲気下において合金素材を加熱保持する窒化処理を施す。 - 特許庁

The n-type conductive film and the p-type conductive film are formed by rapidly heating the organic zinc oxide film in a predetermined atmosphere.例文帳に追加

前記有機酸化亜鉛膜を、所定の雰囲気中で急速に加熱することによりｎ型導電膜およびｐ型導電膜を形成する方法。 - 特許庁

An N-purging box 100 has shutters 120, 122 for making a low- oxygen concn. atmosphere in the interior.例文帳に追加

窒素パージボックス１００は、シャッタ１２０，１２２を備えており、内部が低酸素濃度雰囲気とされる。 - 特許庁

The atmosphere to come into contact with a blue light-emitting phosphor constituting a phosphor particle layer 3 contains argon (Ar) and neon (Ne), and when the mole fraction of argon (Ar) is made A, and the mole fraction of neon is made N, the atmosphere is made that A/(A+N)≥0.04 is obtained.例文帳に追加

蛍光体粒子層３を構成する青色発光蛍光体に接する雰囲気を、アルゴン（Ａｒ）とネオン（Ｎｅ）とを含み、かつ、アルゴン（Ａｒ）のモル分率をＡとし、ネオンのモル分率をＮとすると、Ａ／（Ａ＋Ｎ）≧０．０４となる雰囲気とする。 - 特許庁

A photocatalyst substance film 12 comprising Sn-O-N and Zn-O-N is formed on a base 10 by means of sputtering using SnO2 and ZnO as a target in nitrogen atmosphere.例文帳に追加

基板１０上に、窒素雰囲気におけるＳｎＯ_2やＺｎＯをターゲットとしたスパッタリングにより、Ｓｎ−Ｏ−ＮやＺｎ−Ｏ−Ｎからなる光触媒物質膜１２を形成する。 - 特許庁

Here, Martens hardness of the first buffer layer itself measured under an atmosphere of 20°C and 50% relative humidity is set up to be 0.1-70 N/mm^2, and Martens hardness of the second buffer layer itself is set up to be 100-500 N/mm^2.例文帳に追加

そして、２０℃、５０％相対湿度の雰囲気下で測定した第１緩衝層単独のマルテンス硬度が０．１〜７０Ｎ／ｍｍ^２、第２緩衝層単独のマルテンス硬度が１００〜５００Ｎ／ｍｍ^２に設定されている。 - 特許庁

An organic photoelectric conversion element of the present invention comprises a cathode, a photoelectric conversion layer containing a p-type organic semiconductor material and an n-type organic semiconductor material, a hole transport layer containing a hole transport material, and an anode, which each are laminated in that order.例文帳に追加

また、ｐ型共役系高分子を光電変換層におけるｐ型有機半導体材料として用いた光電変換素子を製造する際に、環境管理された雰囲気や不活性ガス雰囲気を採用しない場合であっても、光電変換効率の絶対値の低下やそのバラツキの発生（安定性の低下）を最小限に抑制しうる手段を提供する。 - 特許庁

The hydrogen storage nitride material is produced by mechanically crushing a metal nitride and one or more nonmetal nitrides in a hydrogen atmosphere to form a N-H bond.例文帳に追加

金属窒化物および非金属窒化物の一種以上を、水素雰囲気にて機械的粉砕処理し、Ｎ−Ｈ結合を生成させることにより水素貯蔵窒化物材料とする。 - 特許庁

Before or after the heating in the magnesium atmosphere, at least one of a p-type dopant and a n-type dopant can be introduced into the whole or a part of the Si masses.例文帳に追加

マグネシウム雰囲気中で加熱する前または後に、ｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントの少なくとも一方のドーパントを、前記Ｓｉ塊の全体または一部に導入してもよい。 - 特許庁

Subsequently, the silicon substrate 10 is subjected to a heat treatment in an ND_3 gas atmosphere, whereby nitrogen (N) and heavy hydrogen (D) are introduced into a silicate film 12.例文帳に追加

続いて、ＮＤ_３ガス雰囲気中で、このシリコン基板１０に熱処理を加えることにより、窒素（Ｎ）と重水素（Ｄ）とを、シリケート膜１０に、導入する。 - 特許庁

Subsequently, oxidation and nitriding are performed by the heating treatment in the atmosphere of gas containing either of NO, N2O or NO2 as oxidation nitriding gas containing nitrogen (N) in the same reaction furnace to form the SiOxNy film 3 of film thickness B.例文帳に追加

続いて、同一反応炉内で、窒素（Ｎ）を含有する酸化性窒素ガスとして、ＮＯ、Ｎ_2 ＯまたはＮＯ_2 のいずれかを含むガスの雰囲気中で、加熱処理により酸窒化して、膜厚ＢのＳｉＯ_x Ｎ_y 膜３を形成する。 - 特許庁

A gate nitride film 4 containing fluorine is formed on an N-type well layer 2 by a plasma CVD method in a gas atmosphere containing silicon tetrafluoride (SiF4) and ammonium (NH3).例文帳に追加

四フッ化珪素（ＳｉＦ_4）とアンモニア（ＮＨ_3）を含むガス雰囲気にて、プラズマＣＶＤ法により、Ｎ型ウェル層２の上にフッ素を含んだゲート窒化膜４を成膜する。 - 特許庁

A solution including a powdery p-type semiconductor material, a powdery n-type semiconductor material and a nanoparticle material is dissolved in a solvent to be subjected to spin coating in an atmosphere of inert gas.例文帳に追加

粉体のｐ型半導体材料、粉体のｎ型半導体材料、ナノ粒子の材料の溶液を溶媒に溶解させ、不活性ガスの雰囲気下でスピンコートする。 - 特許庁

After an SiO_2 film is formed on an n-type SiC substrate 10 by plasma CVD, heat treatment is performed in NO gas atmosphere at 1,250°C for one hour and a passivation film 23 is formed by nitriding the SiO_2 film.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１０上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ_2膜を形成した後、ＮＯガス雰囲気中で１２５０℃の温度で１時間熱処理を行うことで、ＳｉＯ_2膜を窒化してパッシベーション膜２３とする。 - 特許庁

The soft resin layer 13 has Martens hardness of 0.1-70 N/mm^2 measured by a super-microhardness tester under an atmosphere of 20°C of temperature and 50% of relative humidity, and also has a self-restoration nature.例文帳に追加

軟質樹脂層１３は、超微小硬さ試験装置により温度２０℃、相対湿度５０％の雰囲気下で測定したときのマルテンス硬度が０．１〜７０Ｎ／ｍｍ^２であり、かつ自己修復性を有している。 - 特許庁

An arsenic coating layer 12 is formed by decomposing GaAs powder or the GaAs crystal to put As on an Si substrate 11, while the N-type Si substrate 11 of a low resistance is placed in the high temperature reduction atmosphere.例文帳に追加

低抵抗のＮ型のＳｉ基板１１が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を分解してＳｉ基板１１上に砒素を付着させ、砒素被覆層１２を形成する。 - 特許庁

A mixture consisting of a titanium compound which contains at least one element from among N, C, B, F, P, and S as anion and a lithium compound or a lithium titanium compound is subjected to heat treatment in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓの少なくとも１つの元素をアニオンとして含有するチタン化合物と、リチウム化合物またはリチウムチタン化合物との混合物を不活性ガス雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

N-semiconductor SiC particles are subjected to an oxidation treatment in an SiC oxidizing atmosphere, an oxide layer of thickness 5 to 100 nm is formed on the surfaces of the SiC particles, and the SiC particles coated with the oxide layer are formed into a voltage nonlinear resistor.例文帳に追加

ｎ半導性のＳｉＣ粒子をＳｉＣ酸化雰囲気中で酸化処理を行い、ＳｉＣ粒子表面に酸化層の厚みが５〜１００ｎｍとなるように酸化層を形成した電圧非直線抵抗体。 - 特許庁

A raw material mixture capable of composing a composition consisting of M, Si, Al, O, and N is baked in the temperature range of ≥1,820°C and ≤2,200°C in a nitrogen atmosphere, thus producing the phosphor.例文帳に追加

該蛍光体は、Ｍ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎからなる組成物を構成しうる原料混合物を、窒素雰囲気中１８２０℃以上２２００℃以下の温度範囲で焼成することにより製造される。 - 特許庁

Next, the surface of the compact is heat-treated so as to be surround by a second material of metallic elements which are not contained in the first material as constituting elements in an atmosphere where N is present (a heat treatment stage S2).例文帳に追加

次いで、この成形体の表面を、第１の物質には含まれない金属元素を構成元素とする第２の物質で囲繞してＮが存在する雰囲気中で熱処理する（熱処理工程Ｓ２）。 - 特許庁

A metal alkoxide and an organic carbon source substantially containing no element other than C, H, N, and O are dissolved in a solvent followed by drying to obtain a composition, which is carbonized at 1,000-1,900°C in a non-oxidative atmosphere.例文帳に追加

金属アルコキシドと、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｏ以外の元素を実質的に含まない有機物の炭素源とを溶媒に溶解した後に、乾燥し得られた組成物を、非酸化雰囲気中、１０００〜１９００℃にて炭化処理する。 - 特許庁

Such an accessory 1A is acquired by forming the coating 3 on the base material 2 by irradiating an electron beam to Pt housed in a housing device having an approximately circular opening part in an atmosphere containing both C and N.例文帳に追加

このような装飾品１Ａは、ＣおよびＮを含む雰囲気中で、開口部の形状が略円形の収納器に収納したＰｔに電子ビームを照射し、基材２上に被膜３を形成することにより得られる。 - 特許庁

When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加

ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。 - 特許庁

When a catalyst is added to an aqueous solution containing an N-alkylacrylamide, a crosslinking agent and a promoter in a nitrogen atmosphere at ≥35°C and these components are stirred and casting of the mixture and crosslinking of N-alkylacrylamide are simultaneously carried out, N-vinylpyrrolidone is used as a copolymer component.例文帳に追加

Ｎ−アルキルアクリルアミド、架橋剤および促進剤を含有する水溶液に３５℃以上、窒素雰囲気下で、触媒を添加し撹拌した後、注型と同時に架橋してする際に、Ｎ−ビニルピロリドンを共重合成分として用いることを特徴とする。 - 特許庁

When the iopamidol is manufactured by the deacetylation reaction of N,N'-bis[2-hydroxy-1-(hydroxymethy)ethyl]-5-[(2S)-2-acetoxypropanoylamino]-2,4,6-triiodophthalamide, the deacetylation reaction is carried out in a solvent of alcohols under an alkalline atmosphere.例文帳に追加

前駆体であるＮ,Ｎ'−ビス[２−ヒドロキシ−１−(ヒドロキシメチル)エチル]−５−[（２Ｓ）−２−アセトキシプロパノイルアミノ]−２，４，６−トリヨードフタルアミドの脱アセチル反応によりイオパミドールを製造する際、アルコール類の溶液としアルカリ性雰囲気下で脱アセチル反応を行う。 - 特許庁

To provide a soft magnetic material, which does not contain a gas element such as N, O or the like difficult in control in an atmosphere in sputtering and is manufactured easily and in which stable soft magnetic characteristics can be obtained and which has excellent soft magnetic characteristics in a high-frequency range and large saturation magnetization.例文帳に追加

スパッタリング時に雰囲気制御が困難なNやOなどの気体元素を含有せず、製造が容易であり、安定した軟磁気特性を得ることができ、かつ高周波域における軟磁気特性に優れ、飽和磁化の大きな軟磁性材料の提供。 - 特許庁

Then a p-type semiconductor 25 projecting from the mask oxide film is polished to remove the mask oxide film, and then a surface layer of the parallel p-n structure is subjected to annealing processing in a non-oxidizing and a non-nitriding atmosphere to smooth the surface layer of the parallel p-n structure.例文帳に追加

次いで、マスク酸化膜より上に突出しているｐ型半導体２５を研磨し、マスク酸化膜を除去した後、並列ｐｎ構造の表面層に非酸化性および非窒化性雰囲気でアニール処理を行い、並列ｐｎ構造の表面層を平滑化する。 - 特許庁

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing.例文帳に追加

活性層１を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層１より上部に位置するｎ型電流ブロック層３を選択成長させる際に、ｎ型不純物とＩＩ族ｐ型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。 - 特許庁

In the atmosphere control process, in the case of using a_c for activity of carbon in the treating material, and C_N for undecomposed ammonia concentration in the heat-treatment furnace, the undecomposed ammonia concentration control process and the partial pressure control process, are performed so that a γ value defined with ν=a_c/C_N becomes 2-5.例文帳に追加

雰囲気制御工程では、被処理物中の炭素の活量をａ_ｃ、熱処理炉内の未分解アンモニア濃度をＣ_Ｎとした場合に、γ＝ａ_ｃ／Ｃ_Ｎで定義されるγの値が２以上５以下の範囲になるように、未分解アンモニア濃度制御工程および分圧制御工程が実施される。 - 特許庁

The inorganic mask 3 is formed by implanting Si and O or N ions into the GaN layer 2 and then heating it, by implanting Si ions into the GaN layer 2 and then heating it in an atmosphere containing O or N ions, or by selectively forming an Si film on the GaN layer and then oxidizing or nitrifying the Si film.例文帳に追加

無機マスク３はＧａＮ層２にＳｉとＯまたはＮをイオン注入後加熱するか、ＧａＮ層２にＳｉをイオン注入後、ＯまたはＮを含む雰囲気中で加熱するか、ＧａＮ層上にＳｉ膜を選択的に形成後Ｓｉ膜を酸化または窒化することにより形成される。 - 特許庁

An acrylonitrile-based precursor fiber bundle of ≥49,000 filament number is flameproofed in a flameproofing furnace having n (n is an integer of ≥3) sets of zones which can be separately controlled in temperature, and the flameproofed fiber bundle is carbonized in an inert atmosphere.例文帳に追加

フィラメント数が４９，０００以上のアクリロニトリル系前駆体繊維束を、ｎ個（ｎは３以上の整数）の別々に温度コントロール可能なゾーンを有する耐炎化炉で耐炎化処理し、耐炎化処理された繊維束を不活性雰囲気中で炭素化処理する。 - 特許庁

An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes.例文帳に追加

素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。 - 特許庁

A Ga solution is brought into contact with the 1st main surface side of a GaP epitaxial wafer and NH3 gas is supplied as a nitrogen source to the circumferential atmosphere coming into contact with the Ga solution to form the N-doped GaP layer through liquid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

ＧａＰエピタキシャルウェーハの第一主表面側にＧａ溶液を接触させ、当該Ｇａ溶液と接する周囲雰囲気に窒素源としてＮＨ_３ガスを供給することによりＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

Then the group-III nitride is crystal-grown by a PLD (pulse laser deposition) method of irradiating a target 3a comprising a constituent element of the group-III nitride to be grown with pulse laser light in a nitrogen atmosphere to obtain N-polar crystal having extremely high quality.例文帳に追加

その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 - 特許庁

N-eicosane (melting point 36 degrees celsius) of which phase change temperature is higher than atmospheric temperature as phase change material absorbing and desorbing latent heat according to temperature change is microencapsulated by melamine or the like to be made into powder heat accumulating agent, and the same is extruded with binder to be made into a shaped heat accumulating agent A.例文帳に追加

温度変化に応じて潜熱の吸収および放出を生じる相変化物質として、相変化温度が雰囲気温度よりも高いｎ−エイコサン（融点３６℃）をメラミン等でマイクロカプセル化して粉末状の蓄熱剤とし、これを、バインダとともに押し出し成形して、成形蓄熱剤（Ａ）とする。 - 特許庁

The sulfonated polyarylene polymer has an ion exchange capacity in the range of 1.7-2.3 meq/g, and the insoluble component content of this polymer to N-methylpyrrolidone, after applying heat treatment of exposing for 200 hours in the constant temperature of 120°C, is 70 wt% or less to the total amount of the polymer.例文帳に追加

スルホン化ポリアリーレン系ポリマーは、１．７〜２．３ｍｅｑ／ｇの範囲のイオン交換容量を備え、１２０℃の恒温雰囲気下に２００時間曝露する熱処理を施した後の、該ポリマーのＮ−メチルピロリドンに対する不溶性成分含有量が、該ポリマー全量の７０重量％以下である。 - 特許庁