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電荷トラップの英語
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英訳・英語 charge trapping
「電荷トラップ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 243件
電荷トラップ型メモリ素子例文帳に追加
CHARGE TRAP MEMORY DEVICE - 特許庁
電荷トラップ型半導体メモリ素子の電荷トラップ層及びその製造方法例文帳に追加
CHARGE TRAP LAYER FOR CHARGE TRAP SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
電荷トラップセルを有するメモリ、および電荷トラップセルを有するメモリの形成法の提供。例文帳に追加
To provide a memory having a charge trap memory cell, and a forming method of the memory having the trap memory cell. - 特許庁
多層絶縁膜は電荷トラップ絶縁膜を含む。例文帳に追加
The multilayer insulation film includes a charge trap insulation film. - 特許庁
電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリ例文帳に追加
SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING CHARGE-TRAP MEMORY CELL - 特許庁
電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加
CHARGE TRAP TYPE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
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「電荷トラップ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 243件
ゲート当たりトラップ位置を2つ有する電荷をトラップする不揮発性メモリおよびその動作方法例文帳に追加
CHARGE TRAPPING NON-VOLATILE MEMORY WITH TWO TRAPPING LOCATIONS PER GATE, AND METHOD FOR OPERATING SAME - 特許庁
金属酸化物3の界面トラップに保持された電荷が、トラップバリアとして機能する絶縁膜5によりデトラップする確率が低減する。例文帳に追加
The probability of detrapping of electric charges which are held by the interface trap of the metal oxide 3 is reduced by the insulating film 5, which functions as a trap barrier. - 特許庁
また、かかるコアは、電荷トラップ及び黒鉛化触媒機能を持つ金属粒子を含むか、電荷トラップ機能を持つ金属粒子を含みうる。例文帳に追加
Also, the cores contain a charge trap and metal particles having a function as a graphitization catalyst, or may contain metal particles having a charge trapping function. - 特許庁
電荷トラップ膜は、第1及び第2の絶縁膜よりも電荷をトラップしやすい絶縁材料で形成されている。例文帳に追加
The charge trap film is formed of an insulation material which can trap charges more easily than the first and second insulation films. - 特許庁
該第2トンネル障壁構造体上に電荷トラップ構造体が配置され、該電荷トラップ構造体上に阻止誘電構造体が配置されている。例文帳に追加
A charge trap structure is arranged on the second tunnel barrier structure, and a blocking dielectric structure is arranged on the charge trap structure. - 特許庁
一つの電荷トラップ領域に1.5ビット、すなわち一つのメモリ素子に3ビットのデータ値を記憶する電荷トラップ領域を持つ。例文帳に追加
A charge trap area for storing a 3-bit data value in 1.5 bit of one charge trap area, i.e., one memory element is provided. - 特許庁
電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリとその形成方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING CHARGE TRAP MEMORY CELL AND ITS FORMING METHOD - 特許庁
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