静電ストレージの英語

このような半導体メモリ装置及びその製造方法は、ストレージ電極用導電膜を薄く形成し、エッチングがよくできる障壁膜を静電容量確保のため導電膜より相対的に厚く形成することによりストレージ電極形成のための乾式エッチング時遷移金属のストレージ電極の側面蒸着が最小化でき、ストレージ電極間のブリッジが防止できる。例文帳に追加

The second conductive film 114 is formed of barium, strontium or the like relatively thinner than the first conductive film 110, that is, in the thickness of 100-1000 Å. - 特許庁

エッジに位置したメモリブロック内のメモリセルは隣接した中央側メモリブロック内のメモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに大きな静電容量を有したデータストレージキャパシタを含み、該データストレージキャパシタは中央側メモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに広い表面領域を有する。例文帳に追加

Each memory cell in the edge memory blocks has a data storage capacitor of which the capacitance is larger than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks, and the data storage capacitor of each memory cell in the edge memory blocks has a surface region wider than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks. - 特許庁

流量が静水圧と電気浸透流の双方に依存する推進流体を、（ａ）例えばクロマトグラフのような作動可能な装置における作動流体として直接に、あるいは（ｂ）ストレージ容器６２５からの作動流体１２０３を作動可能な装置１３０１中に移送するために、あるいは（ａ）と（ｂ）の双方のために、使用することができる。例文帳に追加

A driving fluid whose flow rate is dependent on both hydrostatic pressures and electroosmotic flow can be used (a) directly as a working fluid in an operable device, for example a chromatograph or (b) to move a working fluid 1203 from a storage container 625 to an operable device 1301, or can be used for both (a) and (b). - 特許庁