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高密度化プロセスの英語
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英訳・英語 densification process
「高密度化プロセス」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
自己組織化光ネットワーク形成プロセスの簡便化により高密度化が容易になる。例文帳に追加
The high density is easily realized by simplifying a self-organizing optical network forming process. - 特許庁
シリコンカーバイド基板上に二酸化シリコンを生成する高密度プラズマプロセス例文帳に追加
HIGH-DENSITY PLASMA PROCESS FOR PRODUCING SILICON DIOXIDE ON SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁
高密度プラズマフッ素化シリコンガラスプロセススタックおよびその製造方法例文帳に追加
HIGH DENSITY PLASMA FLUORINATED SILICON GLASS PROCESS STACK AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
薄型化、高密度実装が可能で、製造プロセスが簡単な半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which is capable of being thin and being mounted at high density and whose manufacturing process is simple. - 特許庁
誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積(DEP−ETCH−DEP)高密度プラズマ化学気相堆積プロセス例文帳に追加
MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP - 特許庁
高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第1の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。例文帳に追加
A first portion of silicon oxide is deposited over a substrate and within a gap using a high-density plasma process. - 特許庁
本発明は、好ましくはイオン化金属プラズマ(IMP)プロセスなどの高密度プラズマPVDプロセスや、ターゲットからの材料のスパッタフラックスをイオン化するその他のプロセスを用い、基板40上にタングステンベースのライナ層52/バリヤ層54を堆積させる方法を提供する。例文帳に追加
A method, for depositing tungsten-based liner layer 52/barrier layer 54 on a substrate 40 by using preferably a high density plasma enhanced CVD process, such as an ionized metal plasma(IMP) process, or another process where sputter flux of a material from a target is ionized, is provided. - 特許庁
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「高密度化プロセス」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
大容量化、高密度充填化されたプロセスカートリッジが輸送・保管時にヒートサイクル環境下に置かれた場合にも、非現像部へのカブリや濃度低下といった現像性低下を抑制することのできるプロセスカートリッジを提供することにある。例文帳に追加
To provide a process cartridge capable of suppressing the deterioration of developing property such as the fogging to a non-development part and the lowering of density even when the process cartridge which has a larger volume and is charged at a higher-density is put in an heat-cycling environment during the conveyance and storage thereof. - 特許庁
配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device-substrate manufacturing method which includes the process capable of removing a plating feed-wire, simply and surely without disturbing the increase of wiring density, and provide a semiconductor device substrate having a high wiring density which is created by the foregoing manufacturing method. - 特許庁
配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device including a process capable of simply and absolutely removing an electric supply line for plating without constituting a limiting factor of a high-density interconnection, and to provide a high-density substrate for the semiconductor device manufactured by using the method. - 特許庁
本発明の目的は、微細化及び高密度化に対応し、かつ製造プロセスの容易化を図ることのできる、強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加
To provide a ferroelectric memory which corresponds to fining and high density and realizes simplification of a manufacturing process, and to provide its manufacturing method. - 特許庁
内層板の寸法変化や熱劣化も伴わず、層間の位置ズレのないプロセス的にも簡略化できる高精度、高密度、高信頼性を有した多層プリント配線板の製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board which can avoid a dimensional change or thermal deterioration of an inner layer plate, can avoid a positional shift between layers, can simplify its process, and can have high accuracy, high density and high reliability. - 特許庁
記録プロセス時に初期化層が決して磁化反転を起こさず、スポット径に比して微細な高密度記録パターンを安定に光変調方式でダイレクトオーバーライト記録できる光学的記録媒体を提供する。例文帳に追加
To provide an optical recording medium on which high density recording patterns finer than a spot diameter can be directly overwrite recorded stably by an optical modulation system without causing magnetization inversion in an initialization layer at the time of a recording process. - 特許庁
この後、該酸化シリコン膜の第2の部分が、高密度プラズマプロセスを使用して該酸化シリコン膜の該第1の部分上および該ギャップ内に堆積される。例文帳に追加
Thereafter, a second portion of the silicon oxide film is deposited over the first portion of the silicon oxide film and within the gap using a high-density plasma process. - 特許庁
マトリックスにより、少なくとも一部はCVI型プロセスにより高密度化された炭素繊維強化を有する複合材料部品を製作する方法の提供。例文帳に追加
To provide a method for fabricating carbon fiber-reinforced composite material parts in which at least a part has high density by a matrix according to a CVI (chemical vapor infiltration) type process. - 特許庁
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