高速成長法の英語

高圧力下において高速成長を可能にした非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of growing a non-polar a-plane gallium nitride single crystal that ensures growth at a faster rate under a high pressure. - 特許庁

高温高速成形時のハンドリングが容易でかつ高温高速成形により異常粒成長が生じず、塗装焼付け処理後の強度が高く、しかも成形から塗装焼付け処理までの時間的猶予が充分にある高温高速成形用Ａｌ合金板と、その成形方法を提供する。例文帳に追加

To provide an Al alloy sheet for high temperature high speed forming in which handling at high temperature high speed forming can be facilitated and abnormal grain growth due to high temperature high speed forming can be prevented and which has high strength after coating/baking treatment and has sufficient extension of time from forming until coating/baking treatment and also to provide a method for forming the same. - 特許庁

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a high quality SiC single crystal at a high growth rate, in which an ideal flow of a solution is achieved by finding an ideal ACRT (Accelerated Crucible Rotation Technique) pattern of so called an ACRT, in the production of a SiC single crystal by a solution growth method. - 特許庁

サファイア基板上又はＳｉ基板上に良質のＡｌＮ結晶を高速成長させることができるＡｌＮのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an AlN epitaxial growth method which can grow a high-quality AlN crystal on a sapphire substrate or a Si substrate at a high rate. - 特許庁

炭化珪素単結晶の連続成長中に生じるガス通路の閉塞を防ぎつつ、連続的に高速成長が可能な方法にて高品質な炭化珪素単結晶を製造する。例文帳に追加

To produce a high quality silicon carbide single crystal by a method by which it is possible to continuously grow the silicon carbide single crystal at high speed while preventing blocking of a gas passage occurring in the continuous growth of the silicon carbide single crystal. - 特許庁

カーボンナノチューブを高速成長せしめる従来の方法では、成長速度がガスの供給方法に強く依存しているため、長さや直径が揃ったカーボンナノチューブを再現性よく成長せしめることは困難である。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a carbon nanotube which can overcome such a problem that the conventional methods to grow carbon nanotubes at a high speed can hardly grow carbon nanotubes having equal lengths and diameters with good reducibility since the growing speed strongly depends on the supply method of gases. - 特許庁

成長マスクを用いずに、基板表面処理の段階で成長領域を決定して選択成長させることができ、かつ、描画が高速なうえ大気中で作業できる、汎用性の向上した窒化物薄膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a nitride thin film with improved versatility, with which a growth region can be determined and selectively grown in the stage of substrate surface processing without using a growth mask, and plotting can be accelerated and work in the atmosphere can be executed. - 特許庁

３００ｍｍ以上の直径を有するシリコン単結晶を成長させる場合であっても、成長する単結晶に対する冷却効果を最大限に発揮し、結晶成長速度の高速化を図ることのできる単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a single crystal and a single crystal growing device which can attain high speed growing of the single crystal by making cooling effects to the growing single crystal maximum even in the case of growing a silicon single crystal of ≥300 mm diameter. - 特許庁