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「0層」の部分一致の例文検索結果
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In_xGa_1-xN(0<X<1)well層の膜厚は1.5〜4.5[nm]、 barrier層の膜厚は、In_xGa_1-xN(0<X<1) well層の膜厚の1.5〜5.0倍が良い。例文帳に追加
The thickness of an InxGa1-xN (0<x<1) well layer is 1.5-4.5 nm, and the thickness of a barrier layer is preferably 1.5-5.0 times the film thickness of the well layer. - 特許庁
半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層2上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層3から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。例文帳に追加
A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1). - 特許庁
すなわち、本発明に係る発光ダイオードの発光層は一般式In_xGa_1-xN_1-yX_y(0<x<1;X=P,As,Sb,Bi;y=0<y<0.01/0<y<0.005)で表される。例文帳に追加
In short, the light-emitting layer of the light-emitting diode is represented by a general formula InxGa1-xN1-yXy (0<x<1; X=P, As, Ab, Bi; y=0<y<0.01/0<y<0.005). - 特許庁
第1の層32の表層33は、TiO_x(0<x<2)およびSiO_y(0<y<2)を含む。例文帳に追加
A surface layer 33 of the first layer 32 includes TiO_x(0<x<2) and SiO_y(0<y<2). - 特許庁
ガイド層15,17はInGaNからなり、クラッド層14,18は、Al_xIn_yGa_1−x−yN(0<x<1,0<y<1,0<x+y<1)からなる。例文帳に追加
Guide layers 15, 17 are each composed of InGaN, and clad layers 14, 18 are each composed of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1). - 特許庁
反射防止膜はさらに、0〜65%の空気層を含む。例文帳に追加
The antireflective film further includes an air layer by 0 to 65%. - 特許庁
活性層16は、In_xGa_yAl_1−(x+y)N(0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)から構成されている。例文帳に追加
The active layer 16 is formed of In_xGa_yAl_1-(x+y)N (0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1). - 特許庁
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p型半導体領域は、Al_xIn_yGa_zN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)層26から形成されている。例文帳に追加
The p-type semiconductor region is formed with an Al_xIn_yGa_zN (x+y+z=1, x≥0, y≥0, and z≥0) layer 26. - 特許庁
キャリア基板の上には、Al_x1Ga_y1In_z1N(x1+y1+z1=1、x1≧0、y1≧0、z1≧0)の第1の半導体層が形成される。例文帳に追加
Above the carrier substrate, a first semiconductor layer 115 of Al_x1Ga_y1In_z1N (x1+y1+z1=1, x1≥0, y1≥0, z1≥0) is formed. - 特許庁
バッファ層は、例えばIn_mAl_nGa_1−m−nAs(0≦m<1、0<n≦1、0<n+m≦1)のエピタキシャル結晶からなる。例文帳に追加
The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal. - 特許庁
発光層3と、発光層3からの発光波長に対して透明な透明基板2との間に(Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP(0≦y≦1、0<z<1)からなるコンタクト層8を備えることを特徴とするAlGaInP系の半導体発光素子。例文帳に追加
The AlGaInP semiconductor light-emitting element has a light-emitting layer 3 and a contact layer 8 formed of (Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP(0≤y≤1, 0<z<1) between a light-emitting layer 3 and a transparent substrate 2 which is transparent to a light-emitting wavelength from the light-emitting layer 3. - 特許庁
縦型FET1では、GaN基板10上に、六方晶のGaN、AlGaNを、{ 0 0 0 1}面を成長面として、エピタキシャル成長させており、n型GaNキャップ層18における鉛直な面S1は、{ 1-1 0 0}面(m面)となる。例文帳に追加
In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface). - 特許庁
ディスクは、積層方向に複数の記録層(レイヤー0〜3)を有している。例文帳に追加
The disk includes a plurality of recording layers (layers 0 to 3) in a laminating direction. - 特許庁
前記チャネル層は、Al_XGa_1-XN層(0<X<1)によって形成されている。例文帳に追加
The channel layer is formed by an AlXGa1-XN layer (0<X<1). - 特許庁
最外層は、窒化アルミニウム又は炭窒化アルミニウムからなり、最外層中に塩素を0超0.5原子%以下含有する。例文帳に追加
The outermost layer is composed of aluminum nitride or aluminum carbonitride and contains over 0 and up to 0.5 atom% of chlorine. - 特許庁
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