3-D filmとは 意味・読み方・使い方

R1=d^3×(1/dmin^3-1/dmax^3)...(1) (in the equation (1), (d), dmax and dmin are respectively the mean thickness (μm), maximum thickness (μm) and minimum thickness (μm) between the length 50 cm of the polyester film.例文帳に追加

Ｒ１＝ ｄ^3×（１／ｄmin^3 −１／ｄmax^3） ・・・ （Ｉ） （式（Ｉ）において、ｄ、ｄmax、ｄminは、それぞれ、ポリエステルフィルムの長さ５０ｃｍ間の平均厚さ（μｍ）、最大厚さ（μｍ）、最小厚さ（μｍ）である。） - 特許庁

As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

To achieve film deposition with a narrow film thickness distribution using a target 3 with a diameter d of a substrate 2 or a diameter D smaller than that in film deposition by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜において、基板２の直径ｄと同等又はこれより小さい直径Ｄのターゲット３を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。 - 特許庁

Moreover, a screen oxide film 5 is formed on the surface of the flat section of the silicon 3 and the surface of the oxide film 4 (d).例文帳に追加

シリコン３の平坦部の表面と酸化膜４の表面にスクリーン酸化膜５を形成する（ｄ）。 - 特許庁

For wedge-bonding a gold alloy boding wire 1 onto an electrode film 3, the relation of the minimum value D of a wire compression bond thickness at its bond zone to the electrode film thickness (t) is set for 4t+2≤D (μm).例文帳に追加

金合金ボンディングワイヤ１を電極膜３上にウェッジ接合する場合は、その接合部においてワイヤ圧着厚さの最小値Ｄと電極膜厚ｔの関係を、４ｔ＋２≦Ｄ（μｍ）とする。 - 特許庁

In a superconductive device 1 provided with a plurality of defects 3 which cause a superconductive film 2 to trap magnetic flux, a superconductive device 1 which is arranged so that a distance d between adjacent defects 3 has regularity is constituted.例文帳に追加

超伝導膜２に磁束をトラップさせる複数の欠陥３を設けた超伝導デバイス１において、その隣り合う欠陥３の間隔dが規則性をもち配列している超伝導デバイス１を構成する。 - 特許庁

The thin-film hardness measurement method comprises a step 2 for measuring a film thickness (d) in a film-formed sample 1, a step 3 for performing Raman spectral measurement to the sample 1, and an operation step 4 to be made by the film thickness (d) thus obtained, G peak intensity Ig, and exposure time (t) in the Raman spectral measurement.例文帳に追加

成膜したサンプル１の膜厚ｄを測定するステップ２と、同サンプル１につきラマン分光測定するステップ３と、これらで得た膜厚ｄとＧピーク強度Ｉｇおよびラマン分光測定の際の露光時間ｔを用いて行う演算ステップ４とを備える。 - 特許庁