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ARLとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 エイズ関連リンパ腫


コンピューター用語辞典での「ARL」の意味

ARL<acceptable reliability level>


「ARL」を含む例文一覧

該当件数 : 10



例文

A wiring trench 110 is formed in side an FSG film 108 and an ARL film 109.例文帳に追加

FSG膜108及びARL膜109の内部に配線溝110を形成する。 - 特許庁

To prevent a short circuit between wirings embedded in an insulating film and an ARL film thereon.例文帳に追加

絶縁膜及びその上のARL膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。 - 特許庁

Then, the ARL film 109 on the FSG film 108 is removed by anisotropic etching using a fluorine-containing gas.例文帳に追加

次に、フッ素含有ガスを用いた異方性エッチングにより、FSG膜108上のARL膜109を除去する。 - 特許庁

After foreign matters stuck to an abrasive pad and the substrate 100 in the polishing are eliminated simultaneously, the surface of the ARL film 110 is polished.例文帳に追加

その後、研磨時に研磨パッド及び基板100に付着した異物を同時に除去した後、ARL膜110の表面を研磨する。 - 特許庁

A laminated anti-reflective film 104 of the TiN 4 and ARL-SiON 5 as well as the metallic film 3 are continuously dry etched in an identical processing chamber.例文帳に追加

TiN、ARL−SiONによる積層反射防止膜と、その下の金属積層膜を連続して同一処理室にてドライエッチングする。 - 特許庁

After foreign matters stuck to the substrate 100 in the polishing are eliminated, the surface of the ARL film 110 is polished.例文帳に追加

その後、研磨時に基板100に付着した異物を除去した後、ARL膜110の表面を研磨する。 - 特許庁

例文

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled.例文帳に追加

基板100上に形成されたFSG膜109及びARL膜110に複数の配線用溝111を形成した後、各配線用溝111が完全に埋まるようにARL膜110上にバリアメタル膜(窒化タンタル膜112)及び配線用導電膜(銅膜113及び114)を順次堆積する。 - 特許庁

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機械工学英和和英辞典での「ARL」の意味

ARL (Association of Research Libraries)


ARL (acceptable reliability level)


ARL


ライフサイエンス辞書での「ARL」の意味

ARL

関連語
AIDS-associated lymphoma, AIDS-related lymphoma

遺伝子名称シソーラスでの「ARL」の意味

arl

fly遺伝子名arl
同義語(エイリアス)Arflike at 72A; l(3)72Ae; CG6025; dARL1p; Arf; BcDNA:GM20805; arf72A; Arl1; Arf72A; arf[72A]
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:P25160
EntrezGeneのIDEntrezGene:39745
その他のDBのIDFlyBase:FBgn0000115
fly遺伝子名arl
同義語(エイリアス)arleekin
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのID---
その他のDBのIDFlyBase:FBgn0066374

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
FlyBase
米英大学のショウジョウバエ研究者などにより運営されるショウジョウバエ生態遺伝子情報に関するデータベース

「ARL」を含む例文一覧

該当件数 : 10



例文

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled.例文帳に追加

基板100上に形成されたFSG膜109及びARL膜110に複数の配線用溝111を形成した後、各配線用溝111が完全に埋まるようにARL膜110の上にバリアメタル膜(窒化タンタル膜112)及び配線用導電膜(銅膜113及び114)を順次堆積する。 - 特許庁

After foreign matters stuck to the substrate 100 in the polishing are eliminated, the surface of the ARL film 110 is polished by using an abrasive agent of the same kind as the polishing process of the copper films 113 and 114.例文帳に追加

その後、研磨時に基板100に付着した異物を除去した後、銅膜113及び114の研磨工程と同じ種類の研磨剤を用いてARL膜110の表面を研磨する。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.例文帳に追加

ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にARLを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

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ARLのページの著作権
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