Augeとは 意味・読み方・使い方

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

An electrode 1 for wire bonding is formed on an N-type AlGaAs epitaxial layer 11 and is constituted of an AuGe-Ni-Au alloy layer 17, Ti layer 15, and Au layer 16.例文帳に追加

ワイヤボンド用電極１は，Ｎ型ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層１１上に形成され，ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層１７，Ｔｉ層１５，およびＡｕ層１６から構成されている。 - 特許庁

The gate electrode 18 includes a first gate layer 19 made of p-type AlGaInP mixed crystal, a second gate layer 20 formed thereupon and made of p-type GaAs, and a metal layer (AuGe/Au electrode) 21 formed thereupon.例文帳に追加

ゲート電極１８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第１のゲート層１９と、この上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなる第２のゲート層２０と、この上に形成された金属層（ＡｕＧｅ／Ａｕ電極）２１とを有する。 - 特許庁

On this semiconductor substrate (more accurately, on the n-type GaAs contact layer 5), a source electrode 6 and a drain electrode 7 are made of an AuGe/Ni/Au alloy, and additionally, an insulation film 8 (concretely, a SiO2 insulation film) is formed.例文帳に追加

そして、この半導体基板上（より正確にはｎ型ＧａＡｓコンタクト層５）上に、ソース電極６及びドレイン電極７がＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成され、さらに、絶縁膜（具体的にはＳｉＯ___2絶縁膜）８が形成されている。 - 特許庁

To improve a heat resistance environment by providing a tungsten layer between the AuGe layer and Ni layer of the Au/Mo/Ni/Aug electrode and setting the thickness of this W layer to the particular range.例文帳に追加

Ｉｎが含まれる化合物半導体に対する従来技術の Ａｕ／Ｍｏ／Ｎｉ／ Ａｕ−Ｇｅ合金からなる４層構造のオーミック電極は、アニール温度が３００℃から４００℃まで上昇する間にコンタクト抵抗が１０倍以上増大する。 - 特許庁

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。 - 特許庁