BJTとは 意味・読み方・使い方

To provide a manufacturing method capable of manufacturing a BJT, an SiGeHBT, and a CMOS on a common semiconductor substrate with simple steps and of enhancing the reliability of any contact.例文帳に追加

ＢＪＴ、ＳｉＧｅＨＢＴ及びＣＭＯＳを共通の半導体基板上に簡便な工程で製造することができ、且つコンタクトの信頼性の向上を可能とする。 - 特許庁

To provide a current control type drive circuit having a small energy loss by increasing a switching speed in a base current control type drive circuit for driving a BJT type SiC semiconductor device.例文帳に追加

ＢＪＴ型ＳｉＣ半導体デバイスを駆動させるベース電流制御型駆動回路において、スイッチング速度を高め、エネルギー損失の少ない電流制御型駆動回路を提供する。 - 特許庁

To provide a trench gate type semiconductor device for striking a balance between the increase of density of a channel with the reduction of base resistance of a parasitic BJT, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

、チャネルの高密度化と寄生ＢＪＴのベース抵抗の低抵抗化を両立するトレンチゲート型半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

The emitter E of the npn-type parasitic BJT 12 is connected with a source terminal 16, the collector C is connected with a drain terminal 17, and the base B is connected with a substrate terminal 19 through the substrate resistance 14.例文帳に追加

ｎｐｎ型寄生ＢＪＴ１２のエミッタＥはソース端子１６と接続され、コレクタＣはドレイン端子１７と接続され、ベースＢは基板抵抗１４を介して基板端子１９と接続されている。 - 特許庁

The equivalent circuit 10 of the electrostatic discharge element has an n-type MOSFET 11, an npn-type parasitic BJT 12, a current source 13, a substrate resistance 14, and a parasitic diode 15.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子の等価回路１０は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１、ｎｐｎ型寄生ＢＪＴ１２、電流源１３、基板抵抗１４及び寄生ダイオード１５とを有している。 - 特許庁

Then a second opening W2 is formed to the second insulation film 23 on the base layer parts of the BJT and the HBT, and thereafter a second polycrystal semiconductor film 33 containing impurity is formed to form emitter layers 25, 26.例文帳に追加

次にＢＪＴ及びＨＢＴのベース層部分上の第２絶縁膜２３に第２開口Ｗ２を形成後、不純物含有の第２の多結晶半導体膜３３を形成し、エミッタ層２５、２６を形成。 - 特許庁

The channel is exposed by removing the sacrificial layer, a dielectric layer is grown on the exposed channel region, and then the gate is superposed to complete the formation of the BJT.例文帳に追加

犠牲層の除去により、チャネルを露出させ、露出したチャネル領域の上に誘電体層を成長させ、次いでゲートを上に重ねてＢＪＴの形成を完成させる。 - 特許庁