C2H4とは 意味・読み方・使い方

To provide a separation process (especially TSA type separation process) of dinitrogen monoxide N2O (further carbon dioxide CO2 or ethylene C2H4 and the like as the case may be), contained in gas flow (e.g. air) as impurities.例文帳に追加

ガス流れ（例えば、空気）中に不純物として含まれている亜酸化窒素Ｎ_２Ｏ（場合により更に、二酸化炭素ＣＯ_２またはエチレンＣ_２Ｈ_４など）の分離プロセス（特にＴＳＡタイプの分離プロセス）を提供する。 - 特許庁

(In the formula, X denotes a single bond, -CH2-, -C2H4-, -CH=CH- or -NHCH2-, Y -CO-, -SO2-, -CONH- or -CSNH- and R a 6 or higher C alkyl. Besides, (n) is an integer of 1-3).例文帳に追加

（式（１）中、Ｘは単結合、−ＣＨ_２−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＮＨＣＨ_２−を、Ｙは−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＮＨ−又は−ＣＳＮＨ−を、Ｒは炭素数６以上のアルキル基を表す。また、ｎは１〜３の整数である。） - 特許庁

(In the formula, X denotes a single bond, -CH2-, -C2H4-, -CH=CH- or -NHCH2-, Y -CO-, -SO2-, -CONH- or -CSNH- and R a 6 or higher C alkyl. Besides, (n) denotes an integer of 1-3).例文帳に追加

（上式中、Ｘは単結合、−ＣＨ_２−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＮＨＣＨ_２−を表し、Ｙは−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＮＨ−又は−ＣＳＮＨ−を表し、Ｒは炭素数６以上のアルキル基を表す。また、ｎは１〜３の整数を表す。） - 特許庁

Using a patterned SOG film as a mask, any one of gas selected from a group of ammonia (NH3) gas, nitrogen dioxide (NO2) gas, hydrogen cyanide (HCN) gas, methane (CH4) gas, ethylene (C2H4) gas, methanol gas and ethanol gas is introduced and etching is performed by plasma of mixture gas with oxygen gas.例文帳に追加

パターニングしたＳＯＧ膜をマスクとして用い、ＳＯＧ膜の下層に位置する有機膜を、アンモニア（ＮＨ_3）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、シアン化水素（ＨＣＮ）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガス、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス、メタノールガス、エタノールガスから成るグループから選択されるいずれか１のガスを導入して、酸素ガスとの混合ガスプラズマによりエッチングする。 - 特許庁