Catastrophic optical damageとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor light emitting device of high performance in which COD(catastrophic optical damage) is not generated in a high output, and a kink level is high.例文帳に追加

高出力においてもＣＯＤすることなく、かつキンクレベルが高い高性能な半導体発光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser improved in the heat dissipating property of a part near the light outgoing end face of a main body in order to prevent the generation of COD (Catastrophic Optical Damage).例文帳に追加

ＣＯＤの発生を防ぐために、本体の光出射端面近傍の部分の放熱性を向上させた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To obtain a facet protection film which withstands a high-power laser operation over a long period of time by suppressing an increase in current associated with a decrease in COD (Catastrophic Optical Damage) optical output over time due to facet deterioration during the operation.例文帳に追加

動作中の端面劣化による経時的なＣＯＤ光出力の低下に伴なう電流の上昇を抑制して、長時間の高出力レーザ動作に耐えうる端面保護膜を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a screening method of semiconductor laser element in which a semiconductor laser element having low COD (catastrophic optical damage) resistant characteristics can be eliminated surely by performing nondestructive inspection of the COD resistant characteristics, and to provide a fabrication process of optical head device.例文帳に追加

耐ＣＯＤ特性を非破壊で検査することにより、耐ＣＯＤ特性が低い半導体レーザ素子を確実に排除可能な半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device where a COD (catastrophic optical damage) after aging is improved, and also to provide a manufacturing method of a nitride semiconductor laser device.例文帳に追加

エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device for suppressing catastrophic optical damage (COD), and a simple manufacturing method for the device.例文帳に追加

光学的端面損傷（ＣＯＤ；Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）の抑制がなされる半導体発光装置と、この半導体発光装置の簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of controlling a catastrophic optical damage (COD) caused by a photo output of the semiconductor laser device and a production process of the same, in regard to the semiconductor laser device in which the interface state of the interface between the semiconductor laser (oscillator) and a coating film is reduced by a simple method and the production process of the same.例文帳に追加

本発明は、半導体レーザ（共振器）とコーティング膜との界面の界面準位を簡易な方法により低減した半導体レーザ素子とその製造方法に関し、半導体レーザの光出力に起因した瞬時光学損傷（ＣＯＤ）を抑制できる半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁