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Czochralski method crystalとは 意味・読み方・使い方
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「Czochralski method crystal」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 247件
APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZOCHRALSKI METHOD例文帳に追加
CZ法単結晶インゴット製造装置及び方法 - 特許庁
The apparatus 10 for producing the single crystal is the single crystal producing apparatus by Czochralski method.例文帳に追加
単結晶の製造装置10は、チョクラルスキー法による単結晶の製造装置である。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL REARED BY CZOCHRALSKI METHOD例文帳に追加
チョクラルスキー法育成のシリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD例文帳に追加
チョクラルスキー法育成シリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法 - 特許庁
The single crystal is grown by the Czochralski method or the Bridgman method.例文帳に追加
前記単結晶はチョクラルスキー法やブリッジマン法により成長される。 - 特許庁
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「Czochralski method crystal」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 247件
To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.例文帳に追加
チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁
CONTROL METHOD FOR MANUFACTURING PROCESS OF SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR HIGH RESISTANCE-SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造工程の管理方法及びチョクラルスキー法による高抵抗シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶 - 特許庁
To easily produce a high quality single crystal by using a liquid sealed Czochralski method.例文帳に追加
液体封止チョクラルスキー法を用いて、高品質な単結晶を容易に得る。 - 特許庁
CZOCHRALSKI APPARATUS FOR GROWING CRYSTAL AND PURIFICATION METHOD OF WASTE SALT USING THE SAME例文帳に追加
チョクラルスキー結晶成長装置およびこれを利用した塩廃棄物の精製方法 - 特許庁
To enable the high-speed growth of a silicon single crystal by Czochralski method and also to improve its yield in the high-speed growth thereof.例文帳に追加
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の高速育成を可能にする。 - 特許庁
In the apparatus 1 for manufacturing the silicon single crystal, the single crystal 12 is manufactured by a Czochralski method while rotating a crucible 4 and the single crystal 12 in the same direction.例文帳に追加
製造装置1は坩堝4と単結晶12とを同じ向きに回転させつつチョクラルスキ法により単結晶12を製造する。 - 特許庁
This silicon seed crystal is the one used when the silicon single crystal is produced by the Czochralski method, and is characterized by an oxide film having ≥5 nm thickness, formed on the surface of the seed crystal.例文帳に追加
特に、ダッシュネッキング(種絞り)を行うことなく単結晶を引上育成する方法において、無転位化率を顕著に向上させる。 - 特許庁
METHOD OF SETTING CONDITIONS FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI PROCESS, AND DEVICE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL SILICON EQUIPPED WITH THE METHOD OF THE CZOCHRALSKI PROCESS例文帳に追加
チョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び該引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置 - 特許庁
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