IGFETとは 意味・読み方・使い方

Thus, the main IGFET (11) is protected from the reverse voltage.例文帳に追加

これにより、主IGFET（１１）が逆方向電圧から保護される。 - 特許庁

The gate width W2 of the IGFET 100 is set to about a half (about 0.5 μm) that of a conventional IGFET 500.例文帳に追加

ゲート幅Ｗ２は、上記従来のＩＧＦＥＴ５００の０．５倍程度（約０．５μｍ）となっている。 - 特許庁

The protecting switch means (12) is connected between a drain of the main IGFET (11) and a gate electrode G.例文帳に追加

保護スイッチ手段（１２）は主IGFET（１１）のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇとの間に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of realizing the microfabrication of an IGFET as well as the increase of operating speed of the IGFET.例文帳に追加

ＩＧＦＥＴの微細化を実現することができ、かつＩＧＦＥＴの動作速度の高速化を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The protecting switch control means (13) turns on the protecting switch means (12) when a reverse voltage is applied to the main IGFET (11).例文帳に追加

保護スイッチ制御手段（１３）は、主IGFET（１１）に逆方向電圧が印加された時に保護スイッチ手段（１２）をオンにする。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with an IGFET whose standby power consumption is reduced and by which resistance value of a connection between main electrode semiconductor regions and wiring is reduced, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スタンバイ状態の消費電力を減少し、主電極半導体領域と配線との接続部分の抵抗値を減少することができるIGFETを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁