K-9 (film)とは 意味・読み方・使い方

In addition, the dummy contacts 14 are formed to support the wiring 11 and 12 so as to prevent the tilting or peeling of the wiring 11 and 12 until the low-k film 9 is formed when the insulating film 3 is removed.例文帳に追加

また、ダミーコンタクトは、絶縁膜を除去した時にＬｏｗ−ｋ膜が形成されるまで配線が倒れたり剥離しないように支持するものである。 - 特許庁

Since the insulating film 3 is finally removed, the influence of damages given to the low-k film 9 by the plasma or ashing can be eliminated.例文帳に追加

絶縁膜３は最終的に除去されてしまうので、プラズマあるいはアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくせる。 - 特許庁

Low-load flattening work is effected due by employing electrolytic grinding whereby a multi-layer wiring structure employing a low-k material 9 as an interlayer insulating film is constituted.例文帳に追加

電解研磨を用いるため低負荷な平坦化加工が可能となるので、層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ材料９を用いた多層配線構造も構築可能となる。 - 特許庁

A coating film 11 of right thermal conductivity whose thermal conductivity is 0.3W/(m-K) is formed in a tire inner cavity face 12, while at least a part of the coating film 11 is provided in a projection region T of the side reinforcing rubber, where the side reinforcing rubber layer 9 is projected on the tire inner cavity face 12.例文帳に追加

タイヤ内腔面１２に、熱伝導率が０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である良熱伝導性の塗膜１１が形成されるとともに、塗膜１１の少なくとも一部は、サイド補強ゴム層９をタイヤ内腔面１２に投影したサイド補強ゴム層投影領域Ｔに設けられる。 - 特許庁

In a polycrystal silicon etching step (k), the film 6 formed with the mask 9 is etched back by wet isotropic etching, and a polycrystal silicon embedded layer 10 of a state filled in the groove 4 is obtained.例文帳に追加

多結晶シリコンエッチング工程（ｋ）では、自己整合マスク９が形成された多結晶シリコン堆積膜６を湿式の等方性エッチングによりエッチバックし、溝４内に充填された状態の多結晶シリコン埋め込み層１０を得る。 - 特許庁

The circuit upper face pattern layer 2a or the circuit lower face pattern layer 4 and the intermediate pattern layer 3 are connected by a conductor film 2b with thermal conductivity of 50 W/(m K) or above, which is continuously formed on an inner wall face of the first back facing hole 9.例文帳に追加

回路上面パターン層２ａ又は回路下面パターン層４のいずれか１つと中間パターン層３が、第１のザグリ穴９の内壁面に連続して形成された熱伝導率５０Ｗ/(ｍ・Ｋ)以上の熱伝導体膜２ｂで接続されている。 - 特許庁

A harmonic generation device comprises: a solid state laser oscillator 1; a volume phase diffraction grating 3 for transmitting laser light B oscillated from the solid state laser oscillator 1 to obtain a fundamental C; a selectively transparent member 5 for reflecting a fundamental D and transmitting a harmonic K corresponding to the fundamental D; a wavelength conversion element 9; and a reflective film 10.例文帳に追加

高調波発生装置は、固体レーザ発振体１、固体レーザ発振体１から発振されるレーザ光Ｂを透過して基本波Ｃを得る体積型位相回折格子３、基本波Ｄを反射し、基本波Ｄに対応する高調波Ｋを透過する選択的透過部材５、波長変換素子９、および反射膜１０を備えている。 - 特許庁