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M23とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 M23 (NGC 6494) は、いて座にある散開星団。
「M23」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
The active surface of the second semiconductor wafer W2 is formed with wirings M21, M23, M24, M25, and M26.例文帳に追加
第２の半導体ウエハＷ２の活性面には、配線Ｍ２１，Ｍ２３，Ｍ２４，Ｍ２５，Ｍ２６が形成される。 - 特許庁
On the other hand, the MOS transistors M22, M23 consist of N-type MOS transistors of a triple well structure.例文帳に追加
一方、ＭＯＳトランジスタＭ２２，Ｍ２３は、トリプルウェル構造のＮ型ＭＯＳトランジスタからなる。 - 特許庁
Prescribed control voltages D21 to D23 are fed to gates of the FETs (M21 to M23) to continuously change resistance between the drains and the sources of the FETs (M21 to M23) from on to off mutually independently.例文帳に追加
ＦＥＴ（Ｍ21〜Ｍ23）のゲートに所定の制御電圧Ｄ21〜Ｄ23を供給してＦＥＴ（Ｍ21〜Ｍ23）のドレイン・ソース間抵抗を、互いに独立にオンからオフまで連続的に変更する。 - 特許庁
The registration-release information is transmitted after the change to a mail address stored in an address storage means m23.例文帳に追加
また、アドレス記憶手段ｍ２３に記憶しているメールアドレスに変更後の登録解除情報を送信する。 - 特許庁
Also, the changed registration cancellation information is transmitted to a mail address stored in an address storage means m23.例文帳に追加
また、アドレス記憶手段ｍ２３に記憶しているメールアドレスに変更後の登録解除情報を送信する。 - 特許庁
The partial beams L21 to L23 reflected on the reflection surfaces M11 to M13 are made incident on the corresponding reflection surfaces M21 to M23 of a 2nd optical device M2, reflected on the reflection surfaces M21 to M23 and arrayed in a line in an x-axis direction.例文帳に追加
反射面Ｍ１１〜Ｍ１３で反射された部分光束Ｌ２１〜Ｌ２３は、それぞれ第２光学素子Ｍ２の対応する反射面Ｍ２１〜Ｍ２３に入射し、反射面Ｍ２１〜Ｍ２３で反射されてｘ軸方向に一列に整列させられる。 - 特許庁
By personal information transmitted from a terminal of an information registrant (T1), personal information DB (M22) is created through a communication unit of an information registration subsystem (M23), and is updated.例文帳に追加
情報登録者（Ｔ１）の端末から送られた個人情報により、情報登録サブシステム（Ｍ２３）の通信部を通して個人情報ＤＢ（Ｍ２２）が作成され、また更新される。 - 特許庁
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「M23」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
Drains and sources of three FETs (M21 to M23) are respectively connected between a connection middle point of two mutually adjacent resistors among the resistors R21 to R24 and the inverted input terminal of the operational amplifier 261.例文帳に追加
抵抗器Ｒ21〜Ｒ24のうちの互いに隣り合う２つの抵抗器の接続中点と、オペアンプ２６１の反転入力端との間に、３つのＦＥＴ（Ｍ21〜Ｍ23）のドレイン・ソース間のそれぞれを接続する。 - 特許庁
The transistor M23 for reset controlled by reset signals RST is connected between the gate electrode of the transistor M05 for holding the data and the ground.例文帳に追加
リセット信号ＲＳＴにより制御されるリセット用トランジスタＭ２３は、データ保持用トランジスタＭ０５のゲート電極とグランドとの間に接続される。 - 特許庁
A duplication exclusion securement data record generating means M23 generates a duplication exclusion securement data record obtained by duplicating a plurality of acquired exclusion securement data records.例文帳に追加
複製排他確保データレコード生成手段Ｍ２３は、獲得した排他確保データレコードを複数複製した複製排他確保データレコードを生成する。 - 特許庁
This reproduction device is provided with menu screens M12 and M23 in an intermediate hierarchy on which menus selected on menu screens M1 and M2 in a high rank hierarchy and a plurality of menus to be displayed in low rank hierarchies M2 and M3 are displayed.例文帳に追加
本発明は、上位階層のメニュー画面Ｍ1 、Ｍ２で選択されたメニューと、下位階層Ｍ２、Ｍ３で表示する複数のメニューとを表示する中間階層のメニュー画面Ｍ１２、Ｍ２３を設ける。 - 特許庁
An input end INa is connected to a gate of M11, an input end INx is connected to gates of M22 and M23, and an input end INy is connected to gates of M21 and M24.例文帳に追加
また、入力端ＩＮａはＭ１１のゲートに接続され、入力端ＩＮｘはＭ２２とＭ２３のゲートに接続され、入力端ＩＮｙはＭ２１とＭ２４のゲートに接続される。 - 特許庁
An IV conversion circuit consisting of a differential amplifier and TRs M23, M24, M25 converts the voltage across the capacitor C1 into a current, which is supplied through a resistor R12 and a voltage across the resistor R12 is used for a threshold value VL.例文帳に追加
容量Ｃ１の電圧を差動増幅回路と，トランジスタＭ２３，Ｍ２４，Ｍ２５で構成したＩＶ変換回路で電流に変換し，電流を抵抗Ｒ１２に流して閾値ＶＬとする。 - 特許庁
Electric motors M11, M12, M13 are arranged at a left side in a vehicle width direction, and electric motors M21, M22, M23 are arranged at the other side in the vehicle width direction.例文帳に追加
電動モータＭ１１、Ｍ１２、Ｍ１３は車幅方向左側に配置され、電動モータＭ２１、Ｍ２２、Ｍ２３は車幅方向他方側に配置されている。 - 特許庁
On the other hand, an amplifier circuit consisting of cascode-connected n-channel transistors (M12, M16), (M13, M17) functions as a feedforward path having characteristics of a wide dynamic range of low gain and a wide band, using the p-channel transistor M24, M23 as a load.例文帳に追加
一方、カスコード接続されたＮｃｈトランジスタ(M12,M16),(M13,M17)からなる増幅回路は、ＰｃｈトランジスタM24,M23を負荷とし、低利得で広帯域、広ダイナミックレンジの特性を有するフィードフォワード・パスとして機能する。 - 特許庁
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