MESFETとは 意味・読み方・使い方

To provide a metal semiconductor field effect transistor (MESFET).例文帳に追加

本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。 - 特許庁

An MESFET comprises a source (13), a drain (17), and a gate (24).例文帳に追加

このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。 - 特許庁

To attain a semiconductor device using a MESFET which obtains desired carrier mobility and drain current, is operated to produce a high output and reduces a gate leakage current.例文帳に追加

所望のキャリア移動度、ドレイン電流を得ることができ、高出力動作することができる、かつ、ゲートの漏れ電流を減少することができるMESFETを用いた半導体装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

A variable attenuator 1-1 is comprised of a variable attenuator main body 10 and a temperature compensating circuit 20, and the temperature compensating circuit 20 comprises a second MESFET 21 having the same structure as that of a first MESFET 11 in the variable attenuator body 10.例文帳に追加

この可変減衰器１−１は、可変減衰器本体１０と温度補償回路２０とでなり、可変減衰器本体１０の第１のＭＥＳＦＥＴ１１と同構造の第２のＭＥＳＦＥＴ２１を温度補償回路２０に設けた。 - 特許庁

Thus, in the temperature compensating circuit 20, the second MESFET 21 functions as a Schottky barrier diode (SBD) in the manner of an equivalent circuit.例文帳に追加

したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。 - 特許庁

HYDROGEN END DIAMOND DEPRESSION MESFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

水素終端ダイヤモンドデプレッション型ＭＥＳＦＥＴおよび該デプレッション型ＭＥＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁

A buffer layer 2, a channel layer 3 and source/drain contact layers 4a, 4b are provided on a substrate 1 to constitute a MESFET.例文帳に追加

ＭＥＳＦＥＴを構成するために基板１の上にバッファ層２、チャネル層３、ソ−ス及びドレインコンタクト層４ａ、４ｂを設ける。 - 特許庁

To suppress the Gunn oscillation of a high speed semiconductor device (MESFET) and avoid the decrease of the output power in a high power operation embodiment.例文帳に追加

高速半導体装置（ＭＥＳＦＥＴ）において、大出力動作実施例におけるガン発振を抑制し、出力パワーの減少を回避する。 - 特許庁