MOVPE methodとは 意味・読み方・使い方

An n-type layer 103, the light emitting layer 104 and a p-type layer 105 in which III nitride compound semiconductor or the like is formed on a sapphire substrate 101 are sequentially formed by an MOVPE method or the like.例文帳に追加

MOVPE 法等により、サファイア基板１０１上にIII 族窒化物系化合物半導体等であるｎ型層１０３、発光層１０４、ｐ型層１０５を順次形成する。 - 特許庁

To provide a novel epitaxial growth method of increasing an epitaxial growth speed of a nitride group semiconductor by a MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new epitaxial growth method which can increase the epitaxial growth speed of a nitride-based semiconductor by MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する - 特許庁

When the multilayer quantum well active layer 15 is grown by MOVPE method, triethyl gallium is employed as a gallium source.例文帳に追加

また、ＭＯＶＰＥ法を用いて多重量子井戸活性層１５を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 - 特許庁

A p-type CdTe monocrystal layer 12 is epitaxially grown by using an MOVPE method and formed on a CdTe monocrystal wafer 11.例文帳に追加

ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

A semiconductor wafer is provided with at least a channel layer 35, formed on a substrate 30 by an MOVPE method and planar doped layers 37 and 39 formed isolated in at least two layers on the layer 35 via a planar doped isolation layer 38 by the MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法により、基板３０上に形成されたチャネル層３５と、前記チャネル層上にプレーナドープ分離層３８を介して少なくとも２層に分離形成されたプレーナドープ層３７、３９とを少なくとも備える。 - 特許庁

In a method for manufacturing the compound semiconductor substrate 10 for MOVPE, on which an epitaxial layer 20 made of a material including GaAlAs is grown according to MOVPE method, and the compound semiconductor wafer using the same, when a surface 1 where the epitaxial layer 20 is formed is placed face up, a central part 3 is bent at a high position and a peripheral part 4 is bent at a low position.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法によりＧａＡｌＡｓ等のエピタキシャル層２０を成長させるＭＯＶＰＥ用化合物半導体基板１０及びそれを用いた化合物半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル層２０が形成される表面１を上側に向けたとき中央部３が高く、かつ周辺部４が低く湾曲するように形成する。 - 特許庁