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MR ratioとは 意味・読み方・使い方
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「MR ratio」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 156件
To obtain a TMR element which achieves a high MR ratio and a low RA.例文帳に追加
高いMR比と低RAとを実現するTMR素子を得る。 - 特許庁
To provide a fabricating method of a magnetoresistive element having an MR ratio higher than a conventional MR ratio.例文帳に追加
従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To enlarge an MR ratio in an MR element where current flows in a direction crossing faces of respective layers constituting the MR element.例文帳に追加
ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。 - 特許庁
To raise an MR ratio in an MR element where an electric current is made to flow in a direction to be crossed with the surface of each layer constituting the MR element.例文帳に追加
ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。 - 特許庁
When a reading voltage Ir is biased, MR ratio of a first unit U1 is in inverse state, while the MR ratio of a second unit U2 is in normal state.例文帳に追加
読み出し電圧Irをバイアスしたときに、第１ユニットU1のＭＲ比は、インバース状態にあり、第２ユニットU2のＭＲ比は、ノーマル状態にある。 - 特許庁
The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell.例文帳に追加
磁気抵抗素子ＲｒｅｆのＭＲ比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のＭＲ比の半分に設定されている。 - 特許庁
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「MR ratio」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 156件
To provide a CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetic read head having a high MR ratio and low magnetostriction.例文帳に追加
高いＭＲ比で低磁歪のＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現する。 - 特許庁
To provide a magnetoresistive element having excellent thermal stability and a high MR ratio.例文帳に追加
熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁
To suppress MR height variation after wrapping, resulting in a high yield ratio.例文帳に追加
ラッピング後のＭＲハイトのばらつきを抑えて、歩留りを向上させる。 - 特許庁
To provide a magnetic tunnel junction element having a large MR ratio suitable for MRAM.例文帳に追加
ＭＲＡＭに好適な高ＭＲ比の磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁
To provide a top pin type tunnel magneto-resistance element with a high MR ratio.例文帳に追加
ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
Thus, a satisfactory MR ratio and a high resistance change ratio can be obtained by making both compatible with each other.例文帳に追加
十分なＭＲ比と高い抵抗変化率とを両立させて得ることができる。 - 特許庁
Then, when a line occupancy ratio of electrode fingers constituting the IDT is defined as electrode finger width/(electrode finger width + space between electrode fingers), the line occupancy ratio mr is set to 0.53≤mr≤0.65, or 0.55≤mr≤0.68.例文帳に追加
そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 - 特許庁
To provide an MR element having high (S/N) by improving the soft magnetic characteristics of a free layer as high MR ratio is held as it is.例文帳に追加
高いＭＲ比を保持したままで、フリー層の軟磁気特性を改善し、（S／N）の高いＭＲ素子を提供すること。 - 特許庁
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