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N shellとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 N殻


日英・英日専門用語辞書での「N shell」の意味

N shell


「N shell」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 19



例文

If there is a redirection error, the return status is 1. exit [n] Cause the shell to exit with a status of n.発音を聞く 例文帳に追加

リダイレクトのエラーが起きた場合には、終了ステータスは 1 となります。 exit [n]ステータス n でシェルを終了させます。 - JM

Because the first n-type shell 2 and the second p-type shell 3 act as two poles of the diode, SiC which is different from the materials of the first shell 2 and the second shell 3 can be chosen as the material for the core 1.例文帳に追加

ダイオードの2極の役割は、n型の第1のシェル2とp型の第2のシェル3とが担うので、コア1の材質として第1,第2のシェル2,3とは異なるSiCを選択できる。 - 特許庁

An n type shell region 5 is provided between the drift region 1 and the base region 2.例文帳に追加

n型のシェル領域5は、ドリフト領域1とベース領域2の間に設けられている。 - 特許庁

The protein contains a specific amino acid sequence derived from large-winged pearl-shell or a protein encoding the N-terminal amino acid sequence of the above sequence.例文帳に追加

または、上記のN端側アミノ酸配列をコードする蛋白質を含む。 - 特許庁

The lateral p-n junction is formed between this quantum well and an outer shell section formed around the vertical cavity.例文帳に追加

この量子井戸と、垂直キャビティの周りに形成された外殻部との間に、横方向p/n接合が形成される。 - 特許庁

A light-emitting diode 5 comprises: a bar-shaped core 1 made from SiC; a first shell 2 made from n-type GaN; and a second shell 3 made from p-type GaN.例文帳に追加

発光ダイオード5は、SiCで作製された棒状コア1と、n型のGaNで作製された第1のシェル2と、p型のGaNで作製された第2のシェル3とを備える。 - 特許庁

例文

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域1は、n^-型のドリフト領域1の裏面に設けられたコレクタ領域10からシェル領域5に向かって拡がる空乏層がシェル領域5に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「N shell」の意味

N shell


「N shell」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 19



例文

(source) command, it causes the shell to stop executing that script and return either n or the exit status of the last command executed within the script as the exit status of the script.発音を聞く 例文帳に追加

(source) コマンドによるスクリプトの実行中である場合、シェルはそのスクリプトの実行を止め、nまたはスクリプト内で最後に実行されたコマンドの終了ステータスをスクリプトの終了ステータスとして返します。 - JM

The nano-columns 2 are each formed into a coaxially shaped heterostructure in which a core portion 21 made of an n-type GaN is surrounded by a cylindrical shell portion 22 made of an n-type AlGaN having a bandgap energy larger than that of the n-type GaN, and the core portion 21 itself is used as an active layer.例文帳に追加

ナノコラム2を、n型GaNから成るコア部21を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいn型AlGaNから成る筒状のシェル部22で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部21自体を活性層とする。 - 特許庁

The metal-including fullerene formed by electrolysis has an electronic structure of a closed shell and is represented by the general formula M @ Cn (M=Sc, Y, La, Lanthanide element, Actinoid element, n = an even number of 60, 70≥).例文帳に追加

電解法により形成される電子構造が閉殻構造である一般式M@Cn(但し、M=Sc、Y、La、ランタニド元素、アクチノイド元素、n=60、70およびそれ以上の偶数)で表される金属内包フラーレンイオン。 - 特許庁

This wire is formed by filling the flux in a steel shell having a seam, and has a wire breaking load of 620-700 N and the amount of MoS_2 of 0.5-1.5 g per 10 kg of wire on the surface of the wire.例文帳に追加

このワイヤは、シームを有する鋼製外皮中にフラックスを充頃してなるものであり、ワイヤ破断荷重が620N乃至700N、ワイヤ表面のMoS_2量がワイヤ10kgあたり0.5乃至1.5gである。 - 特許庁

The structure of the finder of the optical equipment is equipped with a finder objective part constituted by staking 1st the Nth (N: natural number larger than 2) lenses along their thickness direction and an exterior member constituting an equipment shell body wherein the finder objective part is stored.例文帳に追加

特に、レンズを露出させても、機器内部に微細な塵埃が侵入することのない光学機器のファインダー構造を提供することである。 - 特許庁

Thus, a large unevenness is not caused at a matched face between the furnace shell section x of the old furnace body and the new bottom section y_N, so that an additional processing work for correcting the unevenness at the matched face at a site can be eliminated.例文帳に追加

これにより、旧炉体である炉胴部xと新炉底部y_Nとの肌合わせ面に大きな目違いを生じることがなく、肌合わせ面の目違いを修正するための現地での追加工作業が不要になる。 - 特許庁

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support.例文帳に追加

結晶性n型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するn型半導体より高い伝導帯準位を有するn型半導体のいずれかからなる厚さ1nm未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。 - 特許庁

例文

During the plasm process, carbon atoms C and/or nitrogen atom N collides with a plurality of exposed surfaces of the nano-sized features 12, and infiltrates from the exposed surfaces to react with the silicon Si, thereby forming the hardened shell 20 made of the silicon carbide, the silicon nitride, or charring silicon nitride.例文帳に追加

プラズマ処理中は炭素原子C及び/又は窒素原子Nが極小形状部12の複数の露出面に衝突してそれらが露出面から浸透し、シリコン(Si)と反応して炭化ケイ素、窒化ケイ素または炭化窒化ケイ素からなる硬化外殻20が形成される。 - 特許庁

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