OP fieldとは 意味・読み方・使い方

Note: the XDR stream's op field must be set by the caller.発音を聞く 例文帳に追加

注意: XDR ストリームのopは呼び出し側で設定しなければならない。 - JM

Impurity ions incident toward the center of the openings OP of the filter FL can keep going straight and pass through the openings OP, while impurity ions incident toward the regions other than the center of the openings OP of the filter FL cannot pass through the openings OP because the travelling direction is changed by an electric field of the filter FL.例文帳に追加

フィルタＦＬの開口部ＯＰの中央部に向かって入射した不純物イオンは、そのまま直進して開口部ＯＰを通過することができるが、フィルタＦＬの開口部ＯＰの中央部以外の領域に向かって入射する不純物イオンは、フィルタＦＬによる電場によって進行方向が曲げられて、開口部ＯＰを通過することができない。 - 特許庁

The optical head has a photoelectric converting element 321, which is an amorphous silicon photodiode equipped with a fine opening OP and a track electrode 321c emitting proximity field light for optical recording.例文帳に追加

光ヘッドは、光記録のための近接場光を発生する微小開口ＯＰとトラック電極３２１ｃとを備えるアモルファスシリコンフォトダイオードである光電変換素子３２１を有する。 - 特許庁

Based on drain voltages of the P-channel field effect transistors 111 and 112, output signals OP and ON are then generated as a differential amplification result.例文帳に追加

そして、このＰチャネル電界効果トランジスタ１１１および１１２の各ドレイン電圧に基づいて、差動増幅結果である出力信号ＯＰおよびＯＮが生成される。 - 特許庁

The HMD 13 includes an eyes-imaging part 54 for imaging the eyes of an operator Op and a projecting part 56 for projecting and displaying an ultrasonic image or the like on a visual field 57.例文帳に追加

ＨＭＤ１３は、術者Ｏｐの目元を撮影する目元撮影部５４と視野５７に超音波画像等を投影表示する投影部５６とを有する。 - 特許庁

An angle θ between the optical axis (z axis) of the object to be measured and the advancing direction of light (the extending direction of a straight line OP) and a far field pattern which is the distribution of light intensity P (θ, Ψ) of the measuring point P with respect to a rotation angle Ψ around the optical axis are obtained.例文帳に追加

測定結果より、被測定物の光軸（ｚ軸）と光の進行方向（直線ＯＰの延在方向）とのなす角度θ、および測定位置Ｐの光軸のまわりの回転角ψに対する光強度Ｐ（θ，ψ）の分布すなわちファーフィールドパターンが求められる。 - 特許庁

A process of manufacturing the semiconductor device 10t includes an oxygen plasma irradiation process of subjecting a silicon film 1s to become an active layer of a field-effect transistor 30n to oxygen plasma irradiation OP after crystallizing the silicon film 1s, and a surface oxide removal process of removing surface oxide 1r formed on the silicon film 1s in the oxygen plasma irradiation process.例文帳に追加

半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。 - 特許庁