Off-peak timesとは 意味・読み方・使い方

A delay time controller 3 takes in the respective peak voltages from the voltage detectors, when the semiconductor elements turn on and turn off, and adjusts automatically the delay times to be set in the respective time delay generators when the semiconductor elements turn on and turn off, in such a manner that the respective peak voltages are uniform.例文帳に追加

遅れ時間コントローラ３は、半導体素子のターンオン時及びターンオフ時毎に各電圧検出器からの各ピーク電圧を取り込み、各ピーク電圧が均等になるよう、半導体素子のターンオン時及びターンオフ時毎に前記各時間遅れ発生器に設定する遅れ時間を自動調整する。 - 特許庁

Scanning frequency is preset to about nine times, without lowering the cut-off frequency of the LPF 65 too much so as to eliminate the effect exerted on an absorption peak waveform that accompanies wavelength scanning.例文帳に追加

波長走査に伴う吸収ピーク波形に影響がないように、ＬＰＦ６５のカットオフ周波数をあまり下げすぎず、走査周波数の９倍程度に設定しておく。 - 特許庁

Voltage detectors I1-In detect peak voltages between both ends of elements when semiconductor elements SW1-SWn are turned on and turned off, and time delay generators 21-2n delay a gate signal by set delay times, and apply the delayed gate signals to the respective semiconductor elements.例文帳に追加

電圧検出器１_1〜１_nは各半導体素子ＳＷ_1〜ＳＷ_nのターンオン時及びターンオフ時の素子両端のピーク電圧をそれぞれ検出し、時間遅れ発生器２_1〜２_nはゲート信号を設定される遅れ時間だけ遅らせて各半導体素子に印加する。 - 特許庁

Regarding the oxide fluorescent substance, the main peak of a light emitting spectrum is present near 535 nm, the light emitting output is more than 1.8 times as large as CdWO_4, and the attenuation factor of the afterglow at 300 ms after cutting off stimulating light becomes ≤2.5×10^-5.例文帳に追加

シンチレータとシンチレータの発光を検出するための光検出器とを備えた放射線検出器において、シンチレータとして、発光中心イオンがCeで、Gd、Al、Ga、Oを主要元素としたガーネット構造を有する酸化物蛍光体であって、該酸化物蛍光体1モル％に対して長周期型周期律表のIVa族、Va族及びVIa族のうちの、少なくとも一種の元素を0.0001モル％以上、1.0モル％以下含有せしめたものを用いる。 - 特許庁

A gate resistance corresponding to the semiconductor switching element 181 superposed with the bus bar is designed to a higher resistance value than the gate resistance corresponding to the semiconductor switching element 182 not superposed with the bus bar so as to cancel the difference between the peak currents at the times of turning on and off generated according to the difference of the inductance values.例文帳に追加

インダクタンス値の差異によって生じるターンオンおよびターンオフ時でのピーク電流の差を相殺するように、バスバーと重なる半導体スイッチング素子１８１に対応のゲート抵抗は、バスバーと重ならない半導体スイッチング素子１８２に対応のゲート抵抗よりも高い抵抗値に設計される。 - 特許庁