Optical Phononとは 意味・読み方・使い方

The optical memory is implemented by expressing the information bit of the optical memory at the different phonon band positions.例文帳に追加

これらの異なるフォノンバンド位置で、該光メモリの情報ビットを表現することにより該光メモリを実装する。 - 特許庁

The optical amplifier for amplifying a light signal comprises a praseodymium (Pr3+) ion-doped low phonon energy optical medium used for a gain medium of the light signal, and an stimulating means for stimulating the low phonon energy optical medium to obtain the amplified light signal in the band of 1,600 to 1,700 nm.例文帳に追加

光信号を増幅するための光増幅器において、光信号に対する利得媒質に使用するために、プラセオジム（Pr^3+）イオンが添加された低ホノンエネルギー光学媒質と、1600〜1700nm帯域内の増幅された光信号を得るために、低ホノンエネルギー光学媒質を励起させるための励起手段とを備えた。 - 特許庁

A Dy3+ ion doped optical amplifier minimizes mutual function between electron of Dy3+ ion and phonon.例文帳に追加

Ｄｙ^3+イオン含有光増幅器は、Ｄｙ^3+イオンの電子とフォノンとの間の相互作用を最小化する。 - 特許庁

The cubic boron nitride film is obtained by a gas phase without using ultrahigh pressure and clearly exhibits, in the Raman spectrum, either the characteristic scattering by a phonon of a longitudinal optical mode in the vicinity of 1,305 cm^-1 or the characteristic scattering by a phonon of a transverse optical mode in the vicinity of 1,056 cm^-1 or both the characteristic scattering.例文帳に追加

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素膜。 - 特許庁

This cubic system boron nitride is obtained from a vapor phase without using a superhigh pressure and clearly shows either characteristic scattering by a phonon of an optical longitudinal wave mode in the vicinity of 1,305-1 in a Raman spectrum or a characteristic scattering by a phonon of an optical transverse wave mode in the vicinity of 1,056-1 or both the characteristic scatterings.例文帳に追加

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素。 - 特許庁

The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared.例文帳に追加

また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。 - 特許庁