P-63とは 意味・読み方・使い方

(Self-defense official Gokoku-jinja Shrine collective enshrinement case; Case No. Max. Showa 57(O)902/Decided June 1, 1988/Digest, Vol. 42, No. 5, p. 277.)発音を聞く 例文帳に追加

（自衛官護国神社合祀事件・最大昭和57(オ)902号事件/判昭和63年6月1日/判例集第42巻5号277頁） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The trench 63 portion of the p-type silicon semiconductor substrate 65 serves as the channel region of a nonvolatile semiconductor memory 60.例文帳に追加

ここで、ｐ型シリコン半導体基板６５の溝６３の部分は、不揮発性半導体メモリ６０のチャネル領域となる。 - 特許庁

A p-electrode 63 is formed on the entire surface and an n-electrode 64 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 51.例文帳に追加

そして、全面にｐ電極６３を形成し、ＧaＡs基板５１の裏面にｎ電極６４を形成する。 - 特許庁

The communication node 1 similarly applies information P(1,0) 63 of the receiving port to the loop test signal LT as well.例文帳に追加

通信ノード１も同様に受信ポートの情報Ｐ（１、０）６３をループテスト信号ＬＴに付加する。 - 特許庁

The recording material P is pressed to the delivery tray 52 by the recording material pressing member 63 at least at its two parts of its end side.例文帳に追加

また、記録材Ｐは、その端部側の少なくと２箇所が記録材押さえ６３で排出トレイ５２に押さえ付けられている。 - 特許庁

The P board 61 is insulated from the area of the diode 33 in the semiconductor layer 63 via an insulating layer 64.例文帳に追加

そして、Ｐ基板６１と半導体層６３のダイオード３３が形成された領域との間が絶縁層６４を介して絶縁分離する。 - 特許庁

By this setting, the part A is inflated and deployed at a part downwardly away from an upper end 63U of the pubis 63 of the occupant P.例文帳に追加

この設定により、部位Ａを乗員Ｐの腸骨６３の上端部６３Ｕから下方へ離れた箇所で膨張展開させる。 - 特許庁

A counting sensor 65 for sensing the game balls P is arranged near a discharge port 60 in the outside passage part 62 and the inside passage part 63.例文帳に追加

外側通路部６２及び内側通路部６３における排出口６０の近傍に、遊技球Ｐを感知可能な計数センサ６５が配置される。 - 特許庁