Polyatomicとは 意味・読み方・使い方

LIQUID POLYATOMIC ION BEAM GENERATOR例文帳に追加

液体多原子イオンビーム発生装置 - 特許庁

The method for producing a fluoride gas is characterized in that a compound containing an atom, which can form a polyatomic ion together with a fluorine atom, is added to a hydrogen fluoride solution to produce the polyatomic ion in a hydrogen fluoride solution and to generate a fluoride gas comprising the fluorine atom and the atom that can form a polyatomic ion together with the fluorine atom.例文帳に追加

本発明のフッ化物ガスの製造方法は、フッ素原子との多原子イオンの形成が可能な原子を含む化合物を、フッ化水素溶液に添加することにより、当該多原子イオンをフッ化水素溶液中に生成させて、前記フッ素原子と、当該フッ素原子との多原子イオンの形成が可能な前記原子とで構成されるフッ化物ガスを発生させることを特徴とする。 - 特許庁

The precursor solutions generally comprise metal suboxide cations, peroxide-based ligands and polyatomic anions.例文帳に追加

該前駆体溶液は、一般的に金属亜酸化物陽イオン、過酸化物系リガンド、および多原子陰イオンを含む。 - 特許庁

When the cluster molecule ion is irradiated, a polyatomic molecule gas is introduced into the gas supply part 11, the cluster molecule ion is made to be generated by an electronic exchange between the single atom ion formed in the ion source 1 and the polyatomic molecule gas introduced into the gas supply part 11, and this is separated by the second mass spectrograph 5 and is irradiated.例文帳に追加

クラスタ分子イオンを照射する場合には、ガス供給部１１に多原子分子ガスを導入し、イオン源１で生成された単原子イオンとガス供給部１１に導入された多原子分子ガスとの間での電子交換によってクラスタ分子イオンを発生させ、これを第２の質量分析器５で分離して照射する。 - 特許庁

The catalyst remover for a printed wiring board contains 30 to 500 g/L of nitric acid, 0.1 to 100 g/L of chlorine ions, nitrogen-contained heterocyclic compound, polyatomic alcohols, nonionic surface active agent, one or more kinds of cationic surface active agents, iron ions, urea or its derivative, and one or more kinds of guanidines.例文帳に追加

硝酸30〜500g/L、塩素イオン0、1〜100g/L、含窒素複素環化合物、多価アルコール類、非イオン界面活性剤、カチオン系界面活性剤の一種以上、鉄イオン、尿素又はその誘導体、グアニジン類の一種以上含有するプリント配線板の触媒除去液。 - 特許庁

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them.例文帳に追加

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。 - 特許庁