R-plane sapphireとは 意味・読み方・使い方

Since the back surface of a template 10 is the R-plane of a sapphire substrate 11, the template is ready to be dissolved or corroded in the flux mixture from the back surface thereof.例文帳に追加

この時、テンプレート１０の裏面は、サファイア基板１１のＲ面であるので、テンプレート１０は混合フラックスの中で裏面から溶解または腐食し易い。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

The R-plane sapphire substrate 2 is scribed to cause it to cleave, a lower electrode 8 is formed on the exposed part of the ZnO film 3, and the top face of the p-type GaN clad layer 6 is covered with an upper electrode 9 via the SiO2 film 7.例文帳に追加

この後、Ｒ面サファイア基板２をスクライブしてへき開させ、ＺｎＯ膜３の露出部分の上に下部電極８を形成し、ＳｉＯ_2膜７を介してｐ型ＧａＮクラッド層６の上面を上部電極９で覆う。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor growth substrate such that a (11-22) plane of sapphire is semipolar not to be influenced by a piezoelectric field as well as a nonpolar plane and thereby while a light emitting element is suitably formed, defects in crystal growth on A, M and R nonpolar planes can be solved.例文帳に追加

サファイアの（１１−２２）面が半極性となって、無極性面と同様ピエゾ電界の受けず、発光素子を形成するに適当であるだけでなく、Ａ，Ｍ及びＲ無極性面上の結晶成長の欠点を解決できる窒化物半導体成長基板を提供する。 - 特許庁

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 - 特許庁

The method of producing the carbon nanotube is carried out by forming a prescribed pattern structure comprising a metallic based catalyst for forming carbon nanotube on the surface of a sapphire single crystalline substrate having R-plane as a crystal face of the surface and orienting and growing the carbon nanotube from the pattern structure by a CVD method in a direction opposed at 180° to the positive c-axis projecting direction on the R-plane.例文帳に追加

表面の結晶面がＲ面であるサファイア単結晶基板の表面に、カーボンナノチューブ生成用金属系触媒からなる所定のパターン構造を形成し、ＣＶＤ法により前記パターン構造から前記Ｒ面における正のｃ軸投影方向の１８０°反対方向を主体にカーボンナノチューブを配向成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

A superconducting member for high frequency 10 includes an R-plane sapphire substrate 12; a buffer layer 14 that is formed on one side or both sides of the substrate 12 and comprises ceria with a half-value width of 0.7 or above and 1.1 or below, in the rocking curve measurement of a (002) peak using an XRD; and a superconducting layer 16 on the buffer layer 14.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１２と、この基板１２の片面または両面に形成され、ＸＲＤを用いた（００２）ピークのロッキングカーブ測定において半値幅０．７以上１．１以下であるセリアのバッファ層１４と、このバッファ層１４上の超電導層１６とを有することを特徴とする高周波用超電導部材１０。 - 特許庁

The buffer layer for the oxide superconductive thin film is formed through such a method wherein a CeO_2 buffer layer 2 of thickness 200 to 2,000 Å is formed on an R plane sapphire board 1 at a deposition speed of 40 to 350 Å/min and at deposition temperature of 630 to 780°C so as to obtain the oxide superconductive thin film having a high critical current density.例文帳に追加

酸化物超伝導薄膜用バッファ層において、Ｒ面サファイア基板１上に、２００Åから２０００Åの膜厚のＣｅＯ_２ バッファ層２を、４０Å／ｍｉｎから３５０Å／ｍｉｎの堆積速度と６３０℃から７８０℃の堆積温度で形成し、高臨界電流密度を得る。 - 特許庁