Si基板の英語

To provide a joining method between an insulating body and an Si substrate of different coefficients of thermal expansion.例文帳に追加

熱膨張係数の異なる絶縁体とSi基板との接合方法を提供する。 - 特許庁

A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加

Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁

The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加

Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁

This new improved method is the method, where, from an Si substrate accompanied on its surface by an amorphous silicon dioxide, a crystalline alkaline-earth-metal oxide is obtained on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b).例文帳に追加

アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板１０の面１０ａに窒化ガリウム(GaN)３０がエピタキシャル成長を開始する(b)。 - 特許庁

The drain bus wiring 61 is formed of aluminum wiring with an SiO2 film interposed with the Si substrate.例文帳に追加

ドレインバス配線61はアルミ配線で形成されており、Si基板との間にSiO_2膜を挟んだ構造になっている。 - 特許庁