T-cell memoryとは 意味・読み方・使い方

The column control circuit 2 and the row control circuit 3 makes parasitic capacitance of the memory cell MC which is included in a unit cell array MAT00 and in which re-writing is not performed accumulate the prescribed electric charges at a time t 11.例文帳に追加

カラム制御回路２及びロウ制御回路３は、単位セルアレイＭＡＴ００に含まれ且つ書き換えを行わないメモリセルＭＣの寄生容量に、時刻ｔ１１で所定の電荷を蓄積させる。 - 特許庁

To provide a therapeutic or prophylactic agent by preventing the humectation, the differentiation and the activation of a dendritic cell, a B lymphocyte and a memory T lymphocyte in the onset joint of rheumatoid arthritis.例文帳に追加

本発明の目的は、慢性関節リウマチ患者の発症関節における樹状細胞、Ｂリンパ球、メモリーＴリンパ球の浸潤、分化、活性化を防ぐことによる治療剤もしくは予防剤を提供することにある。 - 特許庁

An auxiliary precharging circuit 10 is installed with respect to a memory cell array part 1, a precharging circuit 4, in which an I/O data bus T and an I/O data bus B as well as a data bus are charged to a VDD level, a write buffer 5, and a read buffer 6.例文帳に追加

メモリセルアレイ部１、Ｉ／ＯデータバスＴ，Ｂ、データバスをＶＤＤレベルに充電するプリチャージ回路４、ライトバッファ５、リードバッファ６に対し、補助プリチャージ回路１０を設ける。 - 特許庁

One electrode in each memory capacitor C in a memory cell MC is connected to one of plural bit lines BLi through a corresponding selection transistor T and the other electrode is connected to one of plate segments PLA, PLB, PLC and PLD.例文帳に追加

メモリセルＭＣにおける各メモリキャパシタＣの一方の電極は、対応する選択トランジスタＴを介して複数のビットラインＢＬｉのうちの１つと接続されており、他方の電極はプレートセグメントＰＬＡ，ＰＬＢ，ＰＬＣ，ＰＬＤの１つと接続されている。 - 特許庁

Cell blocks MCB0, MCB1 constituted by connecting in series plural memory cells MC in which a ferroelectric capacitor C and a cell transistor T are connected in parallel between terminals N1 and N2 is formed along a pair of bit lines BBL, BL.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣとセルトランジスタＴを並列接続してなるメモリセルＭＣを端子Ｎ１，Ｎ２の間に複数個直列接続して構成されたセルブロックＭＣＢ０，ＭＣＢ１が対をなすビット線ＢＢＬ，ＢＬに沿って形成される。 - 特許庁

At startup time, a controller 26 determines the operating condition at startup time, in accordance with the temperature T_cell of a fuel cell stack 2 which is detected by a temperature sensor 21, and the startup enable temperature Tp which is recorded within a nonvolatile memory.例文帳に追加

起動時、コントローラ２６が、温度センサ２１により検出された燃料電池スタック２の温度Ｔ_ｃｅｌｌと不揮発性メモリ内に記録されている起動可能温度Ｔｐとに基づいて起動時の運転条件を決定し、決定した運転条件で燃料電池スタック２を起動する。 - 特許庁

When a memory cell at the left end is selected, data read out on bit lines BL, BL bar are inputted through a PMOS transistor T to the first local sense amplifiers and a sense output is placed on the read data bus.例文帳に追加

図中左端のメモリセルが選択されると、ビット線ＢＬ，ＢＬバー上の読み出しデータはＰＭＯＳトランジスタＴを通して第１ローカルセンスアンプに入力され、これが第１、第２ローカルセンスアンプでセンスされて、そのセンス出力が読み出しデータバスに出力される。 - 特許庁

On the basis of a value in the index part of a cell generating interval T recorded in a memory 101, a decimal part digit number arithmetic circuit 111 changes the assignment of digits in a decimal part and an integral part in a first floating/fixed converting circuit 103 and a digit-matching circuit 107.例文帳に追加

メモリ１０１に記録されたセル発生間隔Ｔの指数部の値に基づいて、小数部桁数演算回路１１１によって、第１の浮動／固定変換回路１０３及び桁あわせ回路１０７の、小数部の桁数と整数部の桁数の割り当てを変更する。 - 特許庁