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TC-25とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「TC-25」の意味 |
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「TC-25」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
The product (Tc×Hc) of the thickness Tc (mm) of the cover 8 and the thickness Hc of the cover 8 is ≤25.例文帳に追加
カバー8の厚みTc(mm)とカバー8の硬度Hcとの積(Tc・Hc)は、25以下である。 - 特許庁
A product (Tc×Hc) of the thickness Tc (mm) and the hardness Hc of the cover 8 is 25 or less.例文帳に追加
カバー8の、厚みTc(mm)と硬度Hcとの積(Tc・Hc)は、25以下である。 - 特許庁
The product (Tc*Hc) of the thickness Tc(mm) and the hardness Hc of the cover 8 is not more than 25.例文帳に追加
カバー8の、厚みTc(mm)と硬度Hcとの積(Tc・Hc)は、25以下である。 - 特許庁
The product (Tc×Hc) of the thickness Tc (mm) of the cover 8 and the hardness Hc of the cover 8 is 25 or less.例文帳に追加
カバー8の厚みTc(mm)とカバー8の硬度Hcとの積(Tc・Hc)は、25以下である。 - 特許庁
When the temperature Tc at which the power amplifier is usually used is 25°C for example, and if the drain bias current Id at which the linearity property of the gain (Gain) of the amplifier becomes the highest at Tc= 25°C is set to 10 mA, the linearity deteriorates sharply if the temperature Tc changes to -20°C.例文帳に追加
例えば、通常使用する温度がTc=25℃である場合、その時に利得Gainの線形特性が最も高いドレインバイアス電流をId=10mAに設定すると、温度がTc=—20℃に変化すると当該線形性が大幅に劣化してしまう。 - 特許庁
Upon shifting the piston rod 36 from a second position to a third (upper end) position, the roller 31 is changed from engagement with a middle position of the cam groove 33 to engagement with a lower position of the cam groove 33, and the valve body 25 at the TC side closes the TC opening 13 according to this change.例文帳に追加
ピストンロッド36の第2位置から第3(上端)位置への移行により、ローラー31がカム溝33の中位置との係合から下位置との係合へと変化し、この変化によりTC側弁体25がTC開口13を閉じる。 - 特許庁
The multiplying unit 26 multiplies the temperature Tc by a gradient Aij being temperature characteristics of an imaging element and outputs the multiplication result Tc×Aij to a subtracting unit 25.例文帳に追加
乗算部26は、温度Tcと撮像素子の温度特性である傾きAijを乗算し、乗算結果Tc×Aijを減算部25へ出力する。 - 特許庁
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「TC-25」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
The subtracting unit 25 subtracts Tc×Aij from the output value Uij of the imaging element, corrects the output value Vij of the imaging element, and outputs an output value Vij after correction to an NUC processing unit 28.例文帳に追加
減算部25は、撮像素子の出力値UijからTc×Aijを減算し、撮像素子の出力値Vijを補正し、補正後の出力値VijをNUC処理部28へ出力する。 - 特許庁
A time monitor means 25 monitors the time resulting from multiplying the time Tc by a maximum node number possibly connected and adding a time Td required for transmission of the self-connection signal to the product so as to recognize the end of transmission of the self-connection signal by all data transmitter-receiver sets.例文帳に追加
接続可能性のある最大ノード番号にTcを掛け、自己接続信号の送信に必要な時間Tdを加えた時間を時間監視手段25で監視し、全てのデータ送受信装置が自己接続信号を送信終了したことを知る。 - 特許庁
Meanwhile, when a signal of a low level is outputted, the 1st switch SW1 disconnects the port 21 from the terminal 25, the 2nd switch SW2 connects the terminal Tc to a terminal T2 connected to the port 21, and the 3rd switch SW3 disconnects the port 23 from the terminal 25.例文帳に追加
一方、ローレベルの信号が出力されると、第1スイッチSW1が送信ポート21と送受信端子25とを切断し、第2スイッチSW2がコモン端子Tcと送信ポート21に繋がる端子T2とを接続し、第3スイッチSW3が受信ポート23と送受信端子25とを切断する。 - 特許庁
When a signal of a high level is outputted as a control signal from a control port 23, a 1st switch SW1 connects a transmission port 21 to a transmission and reception terminal 25, a 2nd switch SW2 connects a common terminal Tc to a terminal T1, and a 3rd switch SW3 connects a receiving port 23 and the terminal 25.例文帳に追加
制御信号として制御ポート23からハイレベルの信号が出力されると、第1スイッチSW1が送信ポート21と送受信端子25とを接続し、第2スイッチSW2がコモン端子Tcと端子T1とを接続し、第3スイッチSW3が受信ポート23と送受信端子25とを接続する。 - 特許庁
The method of manufacturing the electronic component includes a process of preparing the unbaked green chip containing the plasticizer, and a process of polishing the green chip, wherein the glass transition temperature Tg of the green chip right before the polishing process is ≤40°C, and the temperature Tc of the green chip in the polishing process is lower than the glass transition temperature Tg by 25°C or more.例文帳に追加
可塑剤を含む未焼成のグリーンチップを準備する工程と、前記グリーンチップを研磨する工程と、を有し、研磨工程直前のグリーンチップのガラス転移温度Tgが40℃以下であり、研磨工程でのグリーンチップの温度Tcが前記ガラス転移温度Tgよりも25℃以上低いことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 特許庁
In a TC parallel unit serially connected type ferroelectric memory, a dummy upper electrode 25 which is not connected to another element is disposed in a capacitor of a terminal end of the block in which a block selecting transistor 6 or a plate line is disposed, so that an upper electrode 20 in the capacitor used for the cell is not disposed at an outermost periphery to prevent a deterioration of the ferroelectric capacitor characteristics.例文帳に追加
TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいて、ブロック選択トランジスタ6、又は、プレート線が配置されるメモリセルブロックの終端のキャパシタ内に、他の素子に接続されないダミー上部電極25を配置し、メモリセルに使用しているキャパシタ内の上部電極20が最外周にこない様にして、ブロック終端部における、強誘電体キャパシタ特性の劣化を防止する。 - 特許庁
1
TetR
百科事典
2
Viking Airport
百科事典
3
MGC111543
遺伝子名称
4
Ras-like protein TC25
遺伝子名称
5
Eric Williams
英和対訳
6
エリック・ウィリアムズ
英和対訳
7
Emiliano Spataro
百科事典
8
Yolo County Airport
百科事典
9
MIG5
遺伝子名称
10
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英和・和英辞典
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