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Zn-dopedとは 意味・読み方・使い方
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「Zn-doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
LASER USING Zn-DOPED TUNNEL JUNCTION例文帳に追加
亜鉛をドープしたトンネル接合を使用するレーザ - 特許庁
The second layer 52 is doped with Zn up to the same dopant atom concentration, and is in contact with the first layer.例文帳に追加
第2の層(52)も同じドーパント原子濃度までZnでドーピングされ、第1の層と接触している。 - 特許庁
To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加
Znを用いた有機金属気相成長法を用いて、Zn濃度の増大とZn拡散の低減を両立し、数nmの急峻なZnプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁
To provide a Zn-doped group 3B nitride crystal having high resistance and low dislocation density.例文帳に追加
高抵抗且つ低転位密度のZnドープ3B族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁
C and Zn as the acceptors are doped in the grating structure as a third means.例文帳に追加
そして、第3の手段として、回折格子層にCおよびZnをアクセプタとしてドーピングする。 - 特許庁
Silicon and boron are doped in an amount of 1×1017 to 2×1018/cm3 and 1×1018 to 5×1018/cm3, respectively, into the Zn-doped GaAs.例文帳に追加
ZnドープGaAs中に、1×10^17〜2×10^18cm^-3の濃度のシリコンと1×10^18〜5×10^18cm^-3の濃度のホウ素を含有させる。 - 特許庁
The p-type first buried layer 70a_1 is composed of InP doped with n-type impurities and p-type impurities (Zn).例文帳に追加
p型第1埋め込み層70a_1は、n型不純物及びp型不純物(Zn)がドープされたInPからなる。 - 特許庁
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「Zn-doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16.例文帳に追加
Mg、Zn、CdがドープされたGaNまたはAl_xIn_yGa_1-x-yN層(0≦x≦1、0≦y≦1)を、この層に使用することができる。 - 特許庁
A Zn-doped InP layer 14 is formed on the active layers 12a and 12b of the optical elements 21 and 22, respectively.例文帳に追加
これらの光素子の活性層12a、12b上には、ZnドープInP層14が形成されている。 - 特許庁
Since only the outermost surface is doped with the Zn, there is little time for occurring diffusion by heat, so that no problem occurs.例文帳に追加
Znは、最表面でのみドープされているため、熱による拡散が起きる時間もほとんど無いため、問題が起きることは無い。 - 特許庁
Further, by providing a contact layer where a carbon is doped by a specified amount at a place comprising Zn and the like, a contact resistance to an ITO electrode is reduced.例文帳に追加
さらに、Znなどを用いた場所定量の炭素をドーピングしたコンタクト層を設けることにより、ITO電極との接触抵抗を低下させることができる。 - 特許庁
The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius.例文帳に追加
井戸層は、Znと、Oと、O以外のVI族元素であるSとからなり、かつZnよりもイオン半径の小さいn型不純物元素である、B、Al、又はGaがドーピングされている。 - 特許庁
Since Zn doped in the heavily doped p-type first clad layer 8 can be diffused to the first undoped layer 7 and the second undoped layer 9, thickness of the first undoped layer 7 can be reduced.例文帳に追加
このため、高濃度p型第1クラッド層8にドープされたZnの拡散を第1アンドープ層7と第2アンドープ層9とに分散させることができるので、第1アンドープ層7の厚みを小さくすることができる。 - 特許庁
Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加
第1,第2のp型クラッド層7,9及びp型バンド不連続緩和層10にはそれぞれMgが、m+1層のp型GaAs層及びm層のp型GaInP層にはそれぞれZnがドープされている。 - 特許庁
A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加
半絶縁性のGaAs基板1上に、不純物としてAl、Be、Zn、Mg、OまたはGaの一つをドーピングしたInSbバッファ層2と、アンドープまたはTeドープまたはSeドープのInSb活性層3とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁
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