amorphous layersとは 意味・読み方・使い方

It is preferable that the insulating layer is formed for every 2 to 10 layers of the amorphous alloy thin belt.例文帳に追加

前記絶縁層は前記非晶質合金薄帯の２〜１０層毎に形成することが好ましい。 - 特許庁

The amorphous layers 34, 39 suppress interface reactions between the magnetic grains 32, 36 and the crystal layers 35, 41 in a forming process.例文帳に追加

非晶質層３４、３９によれば、製造過程で磁性結晶粒３２、３６および結晶層３５、４１の間で界面反応は十分に抑制される。 - 特許庁

After non-doped amorphous semiconductor layers 12a and 12b are respectively formed on source/drain layers 11a and 11b, a metallic film 13 is formed on the amorphous semiconductor layers 12a and 12b and the amorphous semiconductor layers 12a and 12b are silicified by making the semiconductor layers 12a and 12b and metallic film 13 to react with each other.例文帳に追加

ソース／ドレイン層１１ａ、１１ｂ上にノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをそれぞれ形成してから、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂ上に金属膜１３を成膜し、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂと金属膜１３とを反応させ、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをシリサイド化する。 - 特許庁

The soft magnetic underlayer has a 1st amorphous soft magnetic layer, a 2nd amorphous soft magnetic layer, and a non-magnetic layer formed between the above 1st and 2nd amorphous soft magnetic layers.例文帳に追加

ここで、軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層、第二非晶質軟磁性層、及び前記第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層を備える。 - 特許庁

The buffer layer 2 has first and second amorphous semiconductor layers 2a, 2c and a single crystal semiconductor layer 2b locating between the first and the second amorphous semiconductor layers 2a, 2c.例文帳に追加

バッファ層２は第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃと、第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃ間に介在する単結晶半導体層２ｂとを備える。 - 特許庁

The wound magnetic core is formed by winding amorphous alloy thin belt and has an insulating layer made of a resin between layers of the amorphous alloy thin belt, and amorphous alloy thin belts are not mutually fixed to each other at parts of insulating layers.例文帳に追加

非晶質合金薄帯を巻き回した巻磁心であって、前記非晶質合金薄帯の層間には樹脂からなる絶縁層を有するとともに、前記絶縁層の部分で前記非晶質合金薄帯同士が固着していないことを特徴とする。 - 特許庁

First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1.例文帳に追加

不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。 - 特許庁

The surface protective layer 5 of the photoreceptor comprises a plurality of layers of fluorinated amorphous layers 6e, comprising amorphous silicon carbide or amorphous carbon and 12 to 35 atomic% of fluorine, and has a dynamic indentation hardness of 90 to 500 kgf/mm^2.例文帳に追加

感光体における表面保護層５は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を１２〜３５原子％含有してなるフッ素化アモルファス層６ｅのみを複数積層形成してなり、且つ、その動的押し込み硬さが９０〜５００ｋｇｆ／ｍｍ^２である。 - 特許庁