arsenide-containingとは 意味・読み方・使い方

The carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal is reduced by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal under an inert gas atmosphere containing carbon monoxide or carbon dioxide.例文帳に追加

一酸化炭素若しく二酸化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気中で半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が減少する。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer, containing boron, is composed of mixed crystal of boron arsenide phosphide(BAsP) or boron phosphide(BP).例文帳に追加

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を砒化リン化硼素（ＢＡｓＰ）混晶あるいはリン硼素（ＢＰ）から構成する。 - 特許庁

To provide a waste cleaning method in wet type zinc refinement wherein copper arsenide-containing residue produced in a treatment process for Zn residue can be effectively utilized.例文帳に追加

Ｚn残渣の処理プロセスで発生する砒化銅含有残渣が有効利用可能な湿式亜鉛製錬の浄液方法を提供する。 - 特許庁

The copper arsenide-containing substance to be added can be obtained by subjecting copper arsenide-containing residue produced in an arsenic removal stage of a hematite process to acid cleaning in an acidic solution containing sulfuric acid in such a manner that the stirring rate and stirring time are controlled, so as to regulate the leaching ratio of Fe to ≥70% and the leaching ratio of As to ≤40%.例文帳に追加

添加する砒化銅含有物質は、ヘマタイト・プロセスの脱砒工程で生じる砒化銅含有残渣を、硫酸酸性溶液中で、Ｆeの浸出率が７０％以上、Ａsの浸出率が４０％以下となるように攪拌速度および攪拌時間をコントロールして酸洗浄することによって得ることができる。 - 特許庁

It is therefore possible to uniformly and arbitrarily control the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal by growing the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon 9 to the GaAS (solid) 8 under the inert gas atmosphere containing carbon monoxide or carbon dioxide because the decrease and the increase of the carbon concentration simultaneously occur and mutually compensate.例文帳に追加

従って、一酸化炭素若しく二酸化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気中でＧａＡｓ（融液）８に炭素９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素濃度の減少と増加とが同時に起こって互いに相殺し合うので、半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度を均一かつ任意に制御できる。 - 特許庁

To provide a method of easily growing a good quality crystal from a group III-V compound semiconductor containing at least indium, gallium, antimony and arsenide in composition.例文帳に追加

少なくともインジウムとガリウムとアンチモンと砒素とを組成として含む良質なIII−Ｖ族化合物半導体を容易に結晶成長することが出来るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁