atomic energy levelとは 意味・読み方・使い方

To provide a method and an apparatus for releasing energy from atoms, when electrons are stimulated in such a way so as to relax to a lower energy level and to a state of small size, by providing an energy hole which resonates with transfer according to a new atomic model.例文帳に追加

新たな原子モデルに従い、移転に共振するエネルギーホールを与えることにより電子をよりエネルギー準位且つ大きさの小さい状態に弛緩するよう刺激する際に、原子からエネルギーを開放する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ground improvement construction method by which, even if a rock bed is not present up to an embedding depth level at which an embedding effect is obtained in a construction site for an atomic-energy-related building, the embedding effect can be obtained, while suppressing construction period and construction cost.例文帳に追加

原子力関連建築物の建設予定地に埋込み効果が得られる埋込み深さレベルまで岩盤がない場合であっても、埋込み効果を得つつ、工期や施工費を抑えることができる地盤改良工法を提供すること。 - 特許庁

Relating to a material constituting a ferroelectrics layer of a ferroelectrics memory, a transiting metal oxide comprises a transition metal as a main component, wherein a difference between the energy level in d-state of a valence band of the transition metal in an atomic state constituting the transition metal oxide and the energy level in 2p state of oxygen constituting the transition metal oxide is 0.33 Ry or less.例文帳に追加

強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する材料であって、遷移金属酸化物において、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とする。 - 特許庁

In the Si dispersed vitreous carbon material, Si is uniformly dispersed and combined in the structure of the vitreous carbon in atomic level and the bound energy of 2p orbit of Si atom, which is determined from the peak value of a photoelectron spectrum by an X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), is 101-103 eV.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中にＳｉが原子レベルで均一に分散複合し、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による光電子スペクトルのピーク値から求めたＳｉ原子の２ｐ軌道の束縛エネルギーが１０１〜１０３ｅＶの範囲にあることを特徴とするＳｉ分散ガラス状カーボン材。 - 特許庁

The X-ray optical device is provided, which has the dramatic improvement of reflectance and an energy band by forming a reflection film of HfO_2, Al_2O_3, or the like on a sidewall of a curved hole structure manufactured in silicon and nickel being material of a fine structure by a micromachining technology with the accuracy of a sub-nm level by using an atomic layer volume method.例文帳に追加

微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブｎｍレベルの正確さで、HfO_2およびAl_2O_3等の反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上したＸ線光学装置を提供する - 特許庁