atomic temperatureとは 意味・読み方・使い方

To improve the etching resistance of a silicon nitride film formed by low-temperature atomic layer deposition.例文帳に追加

低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM BY PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

低温でプラズマ励起原子膜の成膜によりシリコン酸化膜を成膜する方法 - 特許庁

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102.例文帳に追加

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

The silicon nitride film is deposited at a deposition temperature of 400°C or lower by atomic layer deposition, and the plasma nitriding is performed at a temperature equal to or lower than the deposition temperature in the atomic layer deposition.例文帳に追加

窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 - 特許庁

The bearing for high temperature is formed from Ni_3(Si, Ti) series intermetallic compound alloy containing B of 25-500 wt ppm based on the total weight of the composition of the total 100 atomic% containing Ni as the main component and Si: 7.5-12.5 atomic%, Ti: 4.5-10.5 atomic%, Nb: 0-3 atomic% and Cr: 0-3 atomic%.例文帳に追加

本発明によれば，Ｎｉを主成分とし且つＳｉ：７．５〜１２．５原子％，Ｔｉ：４．５〜１０．５原子％，Ｎｂ：０〜３原子％，Ｃｒ：０〜３原子％を含む合計１００原子％の組成の合計重量に対してＢ：２５〜５００重量ｐｐｍを含むＮｉ_3（Ｓｉ，Ｔｉ）系金属間化合物合金で形成された高温用軸受が提供される。 - 特許庁

As compared with a case where the gas dissociation accelerating part 6 does not exist, nitriding reaction proceeds at a lower temperature, since a nitrogen compound gas is dissociated at a lower temperature and atomic hydrogen and atomic nitrogen are formed.例文帳に追加

ガス解離促進部６が存在しない場合と比較して、より低温で窒素化合物ガスが解離し原子状水素と原子状窒素が生成するため、より低温で窒化反応が進行する。 - 特許庁

By placing a material with low atomic number among the materials constituting the clad of the heat reception plate 4 on the high temperature material 3 side, mixing of metal atoms of high atomic numbers due to spattering to the high temperature material 3 can be reduced.例文帳に追加

また、受熱板４のクラッド材を構成する材料のうち、低原子番号の材料を高温物質３側に設置することにより、高温物質３へのスパッタリングによる高原子番号の金属原子の混入を低減できる。 - 特許庁