bipolar ICとは 意味・読み方・使い方

Phosphorus glass (PSG film) 2 containing phosphorus (P) is formed on an Si semiconductor substrate 1, and the formation of an emitter by diffusion is finished for a transistor to be formed on a bipolar IC.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１の上に、リン（Ｐ）を含んでいるリンガラス（ＰＳＧ膜）２を形成し、バイポーラＩＣ上に形成すべきトランジスタのエミッタ拡散を終了する。 - 特許庁

A power supply circuit in the main circuit 1 of a of a portable information terminal comprises an IC circuit 4, a diode D3 for preventing reverse current, and a pnp bipolar transistor Q2 connected between the diode D3 and a battery 2.例文帳に追加

携帯情報端末の本体回路１内における電源回路は、ＩＣ回路４と、逆電流防止のためのダイオードＤ３と、このダイオードＤ３と電池２間に接続されるｐｎｐバイポーラトランジスタＱ２とを備える。 - 特許庁

In a power source device 1, a control IC 3 manufactured by a bipolar process and a power supply element 4 manufactured by an MOS process are die-bonded on a lead frame 2 so that their chip ends are close to each other.例文帳に追加

電源用デバイス１は、バイポーラプロセスにより製造された制御用ＩＣ３とＭＯＳプロセスにより製造された電力供給用素子４のチップ端同士を密着させてリードフレーム２上にダイボンディングしている。 - 特許庁

A di/dt feedback part 23 generates a feedback voltage VFB based on a time change of a collector current Ic of an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 11 when the IGBT 11 is turned off.例文帳に追加

ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラＩＣに横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置１において、横型ＰＮＰトランジスタ部Ｂ直下の埋め込み拡散層８に用いる不純物は、制御回路部Ａ直下の埋め込み拡散層５に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

In performing the circuit verification of a power IC having a PNP bipolar transistor Q1 comprising lateral structure, the transistor Q1 is defined as a circuit block obtained by connecting a main transistor Tr0 to parasitic transistors Tr1, Tr2 by using a circuit block definition function included in a simulation device to simulate the transistor Q1.例文帳に追加

ラテラル構造のＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を有するパワーＩＣの回路検証を行う際に、シミュレーション装置に備わる回路ブロック定義機能を用いてトランジスタＱ１をメイントランジスタＴｒ０と寄生トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を接続してなる回路ブロックとして定義してシミュレーションを行う。 - 特許庁

Consequently, the rear surfaces of chips of the element 4 and the IC 3 can obtain common GND potential, and both can be die-bonded by using one kind of die bonding paste represented by an Ag paste 5, thereby enabling taking measures against an electrostatic discharge damage which is a problem in a bipolar type semiconductor.例文帳に追加

このため、電力供給用素子４と制御用ＩＣ３のチップ裏面は、共通のＧＮＤ電位をとることができ、Ａｇペースト５に代表される一種類のダイボンディング用ペーストを使用して一緒にダイボンディングすることができ、これによりバイポーラ型半導体の問題である静電破壊対策を行うことができる。 - 特許庁