chamberingとは 意味・読み方・使い方

To provide a yoke capable of reducing in manufacturing cost with abolition of cutting process in chambering.例文帳に追加

面取りを行う際に切削加工を廃止して製造コストを低減できるヨークを提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which facilitates the chambering the opening of a trench compared with a conventional method.例文帳に追加

トレンチ開口部の面取りを従来の方法に比べて容易にできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable hole boring a work piece, chambering the bored surface part, and chamfering the back surface, all with one drill.例文帳に追加

被切削物に対する穴開けと、穴開けされた表面部の面取りと、裏面の面取り作業が、一本で処理できる両面取りドリルを提供する。 - 特許庁

The main spindle head 22 is positioned in a first chambering position for chamfering the upper and lower edge parts of the workpiece 11 by the cutting devices 30 and 31, and a second chambering position for chamfering the corner edge parts of the workpiece 11 by the grinding wheel 37.例文帳に追加

主軸ヘッド２２は、移動台に配設した昇降用シリンダにより、被加工材１１の上下の端縁部を切削工具３０,３１で面取り加工する第１面取り位置と、被加工材１１の角端縁部を砥石３７で面取り加工する第２面取り位置とに位置決めされる。 - 特許庁

To provide a spectacle lens chamfering method for chamfering an edge of a spectacle lens so as to secure a predetermined chamfering width even if the spectacle lens has only a very narrow V-block hem or can hardly have the V-block hem due to very narrow edge of the spectacle lens, and to provide a spectacle lens chambering device.例文帳に追加

眼鏡レンズのコバが狭いために、ヤゲン裾部が極めて狭くなっているか、ほとんどヤゲン裾部が形成されていないような眼鏡レンズのコバ部分においても、一定の面取幅をもって面取加工を施すこと。 - 特許庁

To provide a chambering device with shortened time required to manufacture a glass disk and a whetstone while inhibiting generation of chipping, the whetstone and a chamfering method.例文帳に追加

チッピングの発生を抑えつつ、ガラスディスク及び砥石の製造にかかる時間が短縮化された面取り加工装置、砥石及び面取り加工方法を提供する。 - 特許庁

The chamfer section 7 at the external circumference in the side of the nitrogen polarity surface 5 of the GaN substrate 1 is formed to the entire part of external circumference including the OF section 2 of the GaN substrate 1, and the chambering angle θ_2 of the chamfer 7 is formed in the range up to 60° exceeding 30°.例文帳に追加

ＧａＮ基板１の窒素極性面５側の外周の面取り部７は、ＧａＮ基板１のＯＦ部２を含む全外周に亘ってなされており、面取り部７の面取り角度θ_２は、30°を超え60°までの範囲で形成されている。 - 特許庁