cladding typeとは 意味・読み方・使い方

An n-type InP cladding layer 16 (a third semiconductor layer) is formed on the p-type InP cladding layer 12 and the active layer 15.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an n-type cladding layer 14, a p-type cladding layer 16, and an active layer 12.例文帳に追加

本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。 - 特許庁

The refractive index of the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than that of an n-type AlGaInP lower cladding layer 36.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０の屈折率は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３６の屈折率より高い。 - 特許庁

A core semiconductor region 19 is disposed between the n-type cladding region 15 and the p-type cladding region 17.例文帳に追加

コア半導体領域１９は、ｎ型クラッド領域１５とｐ型クラッド領域１７との間に設けられている。 - 特許庁

An n-type cladding region 15 and a p-type cladding region 17 are disposed on the primary surface 13a of the support substrate 13.例文帳に追加

ｎ型クラッド領域１５及びｐ型クラッド領域１７は支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁

An active layer 105 is formed over the n-type cladding layer 103.例文帳に追加

活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁

The light-emitting layer 15 is formed on the n-type cladding layer 12.例文帳に追加

発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。 - 特許庁