confinement structureとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor laser element, with a low operation voltage, which comprises a confinement structure with an Al oxide layer wherein the size of confinement structure is controlled surely.例文帳に追加

閉じ込め構造の寸法を確実に制御できるようにしたＡｌ酸化層による閉じ込め構造を備え、しかも動作電圧の低い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In an active region 19, a quantum well structure section 45a is provided between a first light confinement layer 43a and a second light confinement layer 47a.例文帳に追加

活性領域１９では、量子井戸構造部４５ａは、第１の光閉じ込め層４３ａと第２の光閉じ込め層４７ａとの間に設けられている。 - 特許庁

The lower semiconductor DBR 103 is disposed on the substrate 101 side with respect to the resonator structure and has a second lower semiconductor DBR which is a light confinement reducing region for reducing light confinement in the lateral direction.例文帳に追加

下部半導体ＤＢＲ１０３は、共振器構造体に対して基板１０１側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第２の下部半導体ＤＢＲを有している。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁

The apparatus also has a liquid confinement structure defining, in use, in part with the lower surface and the substrate and/or substrate table, an immersion space, and the immersion space has, in use, a liquid meniscus between a part of the lower surface facing a surface of the liquid confinement structure and a facing surface of the liquid confinement structure facing the part of the lower surface.例文帳に追加

装置は、使用時に、部分的に下面及び基板及び／又は基板テーブルとともに液浸空間を画定する液体閉じ込め構造も有し、液浸空間は、使用時に液体閉じ込め構造の表面に対面する下面の一部と、下面の一部に対面する液体閉じ込め構造の対面表面との間に液体メニスカスを備える。 - 特許庁

A precursor 510 in three dimensional photonic crystal structure and a substrate where a stripe 509A including a light confinement part is stuck together to obtain a structure having the light confinement part formed at the center part of the three dimensional photonic crystal structure.例文帳に追加

３次元フォトニック結晶構造の前駆体510と光閉じ込め部を含むストライプ509Aが形成された基板とを貼り合わせることによって、３次元フォトニック結晶構造体の中央部に光閉じ込め部が形成された構造体が得られる。 - 特許庁

A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁