deep UV-resistとは 意味・読み方・使い方

PMGI having photosensitivity to Deep-UV light is used as resist 1, which has its entire surface exposed to the Deep-UV light after film formation.例文帳に追加

Ｄｅｅｐ−ＵＶ光に感光性を有するＰＭＧＩをレジスト１として用い、成膜後にＤｅｅｐ−ＵＶ光をレジスト１に全面露光を行う。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in residual film ratio and resist profile and not causing the problem of development defects even when deep UV, particularly ArF excimer laser light is used as a light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、残膜率、レジストプロファイルが優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern with relatively large thickness and high resolution by using the light with short wavelength such as deep UV rays as an exposure source.例文帳に追加

ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A foundation part which is subjected to pattern formation for the purpose of forming an orifice plate flat is composed of the same material as an orifice plate constituting material (CR), avoiding a Deep-UV type resist (ODUR).例文帳に追加

オリフィスプレートを平坦に形成する目的でパターン形成する土台部を、Ｄｅｅｐ−ＵＶ型レジスト（ＯＤＵＲ）ではなく、オリフィスプレート構成材料（ＣＲ）と同一の材料にて構成する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition which does not cause the problem of development defects and has excellent line edge roughness, resist shape, sensitivity and resolving power when deep UV, particularly ArF excimer laser light, is used as the light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、ラインエッジラフネス、レジスト形状、感度、解像力が優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁