density programmingとは 意味・読み方・使い方

A processor (100) being a programmable digital signal processor(DSP) which gives high code density and simple programming and has a variable instruction length is provided.例文帳に追加

高コード密度と平易プログラミングを与える、可変命令長を持つプログラム可能なデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）である、プロセッサ（１００）が設けられている。 - 特許庁

To provide an integrated circuit in which a manufacturing cost is reduced and storage density is further increased and a device having a memory array and propose its programming method.例文帳に追加

製造コストが低減されるとともに、記憶密度をさらに増大させる集積回路やメモリアレイを有するデバイスを提供し、そのプログラム方法を提案する。 - 特許庁

A DSP in a cache consistency circuit has variable instruction length, high code density and easy programming and its structure and a set of instructions are optimized so that DSP algorithm is executed at low power consumption and high efficiency.例文帳に追加

ディジタル信号プロセッサは、可変命令長で、コード密度が高く、プログラミングが容易であり、構造および命令集合は、ＤＳＰアルゴリズムを低い電力消費および高い効率で実行するように最適化される。 - 特許庁

A DSP in a cache consistency circuit has variable instruction length, high code density and easy programming and its structure and a set of instructions are optimized so that DSP algorithm is executed at low power consumption and high efficiency.例文帳に追加

ディジタル信号プロセッサは、可変命令長で、コード密度が高く、且つプログラミングが容易であって、構造と命令集合は、ＤＳＰアルゴリズムを低い電力消費と高い効率で実行するよう最適化される。 - 特許庁

To provide a further-high-density phase-change memory capable of minimizing an interfacial region between a phase-change material of a memory cell and at least one electrode in order to minimize electric energy for programming the memory cell.例文帳に追加

メモリセルをプログラムするための電力量を最小限に抑えるため、メモリセルの相変化材料と少なくとも１つの電極との界面領域を最小にできる、より密度の高い相変化メモリを提供する。 - 特許庁

This DSP is constituted so that a variable length instruction can be used, and code density can be made high, and programming can be easily realized, and the structure and the instruction group are optimized so that a DSP algorithm can be executed with low power consumption and high efficiency.例文帳に追加

このＤＳＰは可変命令長でコード密度が高く、プログラミングが容易であり、構造と命令集合はＤＳＰアルゴリズムを低い電力消費と高い効率で実行するよう最適化される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a nano-scale resistance cross-point memory array which incorporates a ferroelectric ultra giant magnetic resistance based resistor having lower power consumption, lower programming current and higher capability of being integrated in high density than the other memories.例文帳に追加

他のメモリに比べて低消費電力、低プログラム電流、かつ高密度集積可能な、強誘電性超巨大磁気抵抗ベースの抵抗を組み込んだノスケール抵抗クロスポイント型メモリアレイを製造すること。 - 特許庁

To provide a flash memory cell that stores high-density 2-bit or 3-bit data using existent process technique directly, a production method of the memory cell, and a programming/deletion/reading method of the memory cell.例文帳に追加

既存の工程技術をそのまま使用して高密度の２ビット又は３ビットのデータを格納することが可能なフラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム／消去／読出方法を提供する。 - 特許庁